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EM68B16DVAA 参数 Datasheet PDF下载

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型号: EM68B16DVAA
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内容描述: 32M ×16的移动DDR同步DRAM ( SDRAM ) [32M x 16 Mobile DDR Synchronous DRAM (SDRAM)]
分类和应用: 动态存储器双倍数据速率
文件页数/大小: 40 页 / 323 K
品牌: ETRON [ ETRON TECHNOLOGY, INC. ]
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EtronTech
银行激活/列地址命令
EM68B16DVAA
银行激活/行地址命令,也称为激活命令,由持有发行
CAS
WE
高配
CS
RAS
低的时钟(CK)的上升沿。在DDR SDRAM有四个
独立的银行,所以两张银行选择地址( BA0 , BA1 )是必需的。活动的命令必须是
在执行任何读或写操作之前应用。从激活命令到第一个读取的延迟
或写命令必须达到或超过最低的
RAS
to
CAS
延迟时间(t
RCD
分钟)。一旦银行
已被激活,它必须被预充电之前另一激活命令可以被应用到相同的组。
穿插主动命令之间(组0到银行3 ,例如)的最小时间间隔是
银行银行延迟时间(t
RRD
分钟)。
突发读取操作
在DDR SDRAM的突发读取操作是通过发出启动
CS
RAS
LOW同时举行
RAS
WE
在高时钟( CK )的tRCD的后,从激活命令的上升沿。地址输入
( A0 〜 A9 )确定的起始地址连拍。该模式寄存器设置突发类型(顺序或
交织)和脉冲串长度(2 ,4,8或16) 。所述第一输出数据是后可用
CAS
从延迟
读命令,而连续的数据比特是在数据的上升沿和下降沿呈现
选通( DQS)的DDR SDRAM所提供,直到突发完成。
突发写操作
由具有颁发突发写入命令
CS
,
CAS
WE
LOW同时举行
RAS
高在上升
时钟( CK )的边缘。地址输入确定的起始列地址。没有写入延迟
相对于DQS所需突发写周期。所述第一数据的突发写周期,必须在施加
数据选通信号的第一个上升沿吨后启用
DQSS
从时钟的上升沿时,写
命令发出。其余的数据输入必须在每个后续上升沿和供应
数据选通,直到突发长度边缘完成。后的脉冲串已结束时,任何附加的数据
提供的到DQ管脚将被忽略。
突发中断
读取读取中断
突发读可以在突发结束前通过一个新的读命令,任何一家银行被打断。当
先前的突发中断时,从剩余的地址数据的位由数据从新的覆盖
解决了与完整的突发长度。从以前的Read指令的数据继续出现在
输出直到
CAS
从中断读命令延迟是满意的。在这一点上从所述数据
出现中断读取命令。读取读取间隔为最小的1个时钟。
读取突发停机&写中断
要中断突发读与写命令时,突发停止命令必须置为避免数据
争用的I / O总线上放置到DQ (输出驱动器),在一个高阻抗状态。为确保DQ是
三态的一个周期中的写操作开始之前,在突发停止命令必须在施加
至少2个时钟周期为CL = 2和Write指令之前至少3个时钟周期为CL = 3 。
READ打断了预充电
突发读可以通过在同一行的预充电被中断。需要的最小的1个时钟周期
读预充电时间。甲预充电命令,输出禁止延迟等效于
CAS
潜伏期。
钰创机密
10
1.0版
2009年3月