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功能说明
EM68B16CWPA
读取和写入访问的DDR2 SDRAM是迸发导向;存取开始在一个选定的位置和
继续为四个或八个在编程序列中的脉冲串长度。访问开始时的注册
激活命令，然后接着是读或写命令。地址位注册重合
激活命令用于选择银行和行访问（ BA0 ， BA1选择银行; A0- A12选择
行） 。与读或写命令的地址位注册重合用于选择的出发
列位置的突发访问，并确定该自动预充电命令被发出。
之前的正常运行，DDR2 SDRAM中必须被初始化。以下各节提供详细信息
包括设备初始化，寄存器定义，命令描述，以及设备的运行。
上电和初始化
的DDR2 SDRAM必须被加电并以预定的方式进行初始化。比其他的操作流程
这些规定可能会导致不确定的操作。
下面的序列所需的电和初始化。
1.接通电源，并尝试保持CKE低于0.2 * V
DDQ
和ODT
*1
在低温状态（所有其它输入可以是
未定义）的V
DD
电压斜坡上升时间必须不超过200ms的更大的当V
DD
坡道从300mV的到
V
DD
分钟;和V中
DD
斜坡电压， | V
DD
-V
DDQ
| ≦ 0.3V
- V
DD
, V
DDL
和V
DDQ
从单一的电源转换器的输出被驱动时，与
- V
TT
被限制在0.95 V max时，与
- V
REF
跟踪V
DDQ
/2.
or
- 应用V
DD
之前或同时为V
DDL
.
- 应用V
DDL
之前或同时为V
DDQ
.
- 应用V
DDQ
之前或同时为V
TT
＆放大器; V
REF
.
至少一个这两组条件必须得到满足。
2.启动时钟和保持稳定的状态。
3.对于最小稳定电源和时钟（ CK ， CK ＃ ）后为200ps的，然后应用NOP或取消，并采取CKE
高。
4.等待最低的为400ns ，然后发出预充电所有命令。 NOP或在400ns的周期取消选择应用。
5.文档EMRS （2）命令。 （要发出EMRS （2）指令，提供“低”到BA0 ， “高”至BA1 ）。
6.发行EMRS （ 3 ）命令。 （要发出EMRS （ 3 ）命令，为“HIGH”到BA0和BA1 ）。
7.发行EMRS使DLL。 （要发出"DLL Enable"命令，提供"Low"到A0 ， "High"到BA0和
"LOW"至BA1 ）。
8.发出“DLL复位”一个模式寄存器设置命令。
（要发出DLL复位指令，提供"High"到A8和"Low"到BA0-1 ）
9.发出预充电所有命令。
10.问题2或更多自动刷新命令。
11.发行模式寄存器设置命令低到A8初始化设备操作。 （即编程操作
参数无需重新设置DLL ）。
第8步12后至少200个时钟，执行OCD校准（片外驱动器阻抗调整）。如果强迫症
校准没有被使用， EMRS OCD默认命令（A9 = A8 = A7 =高），然后加入EMRS OCD校准
Mo
de
退出命令（ A9 = A8 = A7 = LOW ）必须与EMRS其他运行参数发出。
13. DDR2 SDRAM现在可以正常运行。
注1 ：
为了保证ODT关闭，V
REF
必须是有效和低电平必须应用到所述ODT管脚。
钰创机密
8
修订版1.4
2009年3月
ETRON [ ETRON TECHNOLOGY, INC. ]
