EtronTech
球说明
表3球说明
符号
CK ， CK ＃
TYPE
输入
描述
EM68B16CWPA
差分时钟：
CK，CK ＃ ，由系统时钟驱动。所有SDRAM的输入信号
采样的CK和CK的＃下降沿上升沿的交叉。产量
（读取）数据被引用到的CK和CK ＃的交叉点（这两个方向
交叉） 。
时钟使能：
CKE激活（ HIGH）和停用（ LOW ）的CK信号。如果CKE
变为低电平同步于时钟，内部时钟从下一个暂停
时钟周期和输出的状态和突发地址只要被冻结为所述CKE
仍然很低。当所有银行都处于空闲状态时，去活的时钟控制
进入掉电和自刷新模式。
银行地址：
BA0和BA1定义到银行BankActivate ，读，写，或
BankPrecharge命令被应用。
地址输入：
A0 - A12是在BankActivate指令周期内采样（行
地址A0 - A12）和读/写命令（列地址A0 -A9与A10定义
自动预充电） 。
片选：
CS ＃使（采样为低电平）和禁用（采样为高电平）的
命令解码器。当CS ＃被采样到高的所有命令被屏蔽。 CS ＃
提供了在与多家银行系统外的银行选择。它被认为是
的命令代码的一部分。
行地址选通：
在RAS ＃信号定义的操作命令
与CAS ＃一起和WE ＃信号，并锁定在正面交叉
CK和CK的＃下降沿的边缘。当RAS ＃和CS ＃断言"LOW"
和CAS ＃是断言"HIGH ， "要么BankActivate命令或预充电
命令由WE＃信号。当WE＃为有效"HIGH ， "的
BankActivate命令被选中，由BA指定的银行接通到
活动状态。当WE＃为有效"LOW ， "的预充电命令被选中
和由BA指定的银行被预充电之后，切换到空闲状态
操作。
列地址选通：
在CAS ＃信号定义的操作命令
与RAS ＃一起和WE ＃信号，并锁定在正面交叉
CK和CK的＃下降沿的边缘。当RAS ＃保持"HIGH"和CS ＃为
断言的"LOW ， "的列存取被断言CAS＃ "LOW."然后，开始
读或写命令被选中WE＃置“HIGH "或” LOW" 。
写使能：
WE＃信号限定与配合操作命令
在RAS ＃和CAS ＃信号，并锁定在CK的上升沿交叉
的CK ＃和下降沿。在WE ＃输入被用来选择BankActivate或
预充电命令和读或写命令。
双向数据选通：
指定计时的输入和输出数据。读数据
频闪是边沿触发。写数据选通提供了一个建立时间和保持时间的数据
和DQM 。 LDQS是DQ0 〜 7 ， UDQS是DQ8 〜 15 。数据选通LDO和
UDQS也可以使用在单端模式或配对LDQS ＃和UDQS ＃到
提供差分对信号到系统中读取和writes.A控制
在EMR位（ 1 ） [ A10 ]启用或禁用所有补充数据选通信号。
数据输入掩码：
当DM是写在高采样输入数据被屏蔽
周期。 LDM口罩DQ0 - DQ7 ， UDM口罩DQ8 - DQ15 。
数据I / O ：
的DQ0 - DQ15输入和输出数据与正同步
CK和CK ＃的边缘。在I / O是字节屏蔽期间，写操作。
CKE
输入
BA0 ， BA1
A0-A12
输入
输入
CS ＃
输入
RAS ＃
输入
CAS ＃
输入
WE＃
输入
LDQS ，
LDQS ＃
UDQS
UDQS ＃
LDM ，
UDM
DQ0 - DQ15
输入/
产量
输入
输入/
产量
钰创机密
5
修订版1.4
2009年3月
ETRON [ ETRON TECHNOLOGY, INC. ]
