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EM68B16CWPA 参数 Datasheet PDF下载

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型号：	EM68B16CWPA
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内容描述：	32M ×16位DDRII同步DRAM （ SDRAM ） [32M x 16 bit DDRII Synchronous DRAM (SDRAM)]
分类和应用：	动态存储器双倍数据速率
文件页数/大小：	59 页 / 1175 K
品牌：	ETRON [ ETRON TECHNOLOGY, INC. ]

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EtronTech

EM68B16CWPA

-

EMR(2)

扩展模式寄存器（ 2）控制刷新的相关功能。扩展模式的默认值

寄存器（2）没有被定义，因此，在扩展模式寄存器（ 2）必须被写入电后进行适当的

操作。扩展模式寄存器（ 2 ）写的是在CS ＃， RAS ＃， CAS ＃断言低， WE＃，高位

BA1和低电平BA0 ，同时控制地址引脚A0 〜 A12的状态。在DDR2 SDRAM应在

已写入的扩展模式寄存器（ 2 ）前高所有银行预充电与CKE 。模式

寄存器组指令周期时间（t

MRD

）必须被满足，以完成写入操作，以扩展模式

注册（ 2 ）。模式寄存器的内容可以使用相同的命令和时钟周期的要求而改变

在正常操作期间，只要所有银行都在预充电状态。

表7.扩展模式电阻EMR （ 2 ）位图

BA1 BA0 A12 A11 A10

A9

A8

A7

A6

A5

A4

A3

A2

A1

A0地址字段

1

0

0

*1

SRF

0*1

扩展模式寄存器（ 2 ）

A7

0

1

高温自刷新率启用

关闭

*2

启用

注1 ：

其余位EMRS （2）被保留以供将来使用，并且在EMRS所有位（ 2）除了A7， BA0和BA1必须

在初始化过程中设置扩展模式寄存器（ 2）当编程到0 。

注2 ：

由于迁移性质，用户需要确保DRAM部分支持高于85 ℃温度上限温度

自刷新条目。如果支持的高温自刷新模式，则控制器可设定EMRS2 [ A7 ]位向

使自刷新速率的情况下高于85 ℃的温度自刷新操作的。

钰创机密

11

修订版1.4

2009年3月

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