EtronTech
钰创机密
特点
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JEDEC标准兼容
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JEDEC标准的1.8V的I / O（ SSTL_18兼容）
•
电源： V
DD
＆放大器; V
DDQ
= +1.8V
±
0.1V
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工作temperatue ： 0 - 85°C
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支持JEDEC的时钟抖动指标
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完全同步操作
•
快速的时钟频率： 333 / 400MHz的
•
差分时钟， CK & CK ＃
•
双向单/差分数据选通信号
-DQS & DQS ＃
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4个内部银行的并发操作
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4位预取架构
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管道内部架构
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预充电&主动断电
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可编程模式&扩展模式寄存器
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发布于CAS＃附加延迟（AL） ：0， 1 ，2，3 ，4，5
•
写延时=读延时 - 1吨
CK
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突发长度： 4或8
•
突发类型：顺序/交错
•
DLL使能/禁用
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片外驱动器（ OCD ）
-Impedance调整
- 可调节的数据输出驱动强度
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片上端接（ ODT ）
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符合RoHS
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自动刷新和自刷新
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8192刷新周期/ 64ms的
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包装： 84球10x12.5x1.2mm （最大值） FBGA
-
铅和卤素
EM68B16CWPA
初步（ 1.4版三月/ 2009）
概观
该EM68B16C是一个高速CMOS双精度型
数据速率 - 双（DDR2 ），同步动态
含512随机存取存储器（SDRAM）的
兆位在一个16位宽的数据I / O操作。这是内部
配置为四银行DRAM ， 4银行X的8Mb
地址×16 I / O的
该设备被设计为符合DDR2
DRAM关键功能，如贴CAS＃与
附加延迟，写入延迟=读延时-1 ，
片外驱动器（OCD）阻抗调整，并且
片上终端（ ODT ）
.
所有的控制和地址输入是
有一对从外部提供的同步
差分时钟。输入被锁在十字架上
点差分时钟（ CK上升沿和CK ＃掉落）
所有的I / O都具有一对双向的同步
选通信号（DQS和DQS ＃ ）在源同步
时尚。地址总线用于传送行
在RAS ＃列，和银行的地址信息
， CAS＃复用的风格。访问开始时的
登记一个银行激活命令，然后
它后面是一个读或写命令。读
和写访问的DDR2 SDRAM是4或
8位的突发式;存取开始以选定
位置和持续的编程号码
地点在编程序列。操作
以交错的方式的四个存储体
允许随机存取操作发生在一个
更高的速率比用标准的DRAM 。
自动预充电功能可被使能，以
提供一个自定时行预充电启动该
在色同步信号序列的末端。一个顺序和
无间隙的数据速率是可能取决于脉冲串
的长度， CAS ＃延迟和速度等级
装置。
32M ×16位DDRII同步DRAM （ SDRAM ）
表1.订购信息
产品型号
EM68B16CWPA-25H
EM68B16CWPA-3H
时钟频率
400MHz
333MHz
数据速率
800Mbps/pin
667Mbps/pin
电源
V
DD
1.8V, V
DDQ
1.8V
V
DD
1.8V, V
DDQ
1.8V
包
FBGA
FBGA
WP ：表示FBGA封装
答：指代码
H：表示Pb和卤素的FBGA封装
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