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    EM658160TS-33 参数 Datasheet PDF下载

    EM658160TS-33图片预览
    型号： EM658160TS-33
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 4M ×16的DDR同步DRAM （SDRAM）的 [4M x 16 DDR Synchronous DRAM (SDRAM)]
    分类和应用： 动态存储器双倍数据速率
    文件页数/大小： 26 页 / 158 K
    品牌： ETRON [ ETRON TECHNOLOGY, INC. ]
     浏览型号EM658160TS-33的Datasheet PDF文件第4页浏览型号EM658160TS-33的Datasheet PDF文件第5页浏览型号EM658160TS-33的Datasheet PDF文件第6页浏览型号EM658160TS-33的Datasheet PDF文件第7页浏览型号EM658160TS-33的Datasheet PDF文件第9页浏览型号EM658160TS-33的Datasheet PDF文件第10页浏览型号EM658160TS-33的Datasheet PDF文件第11页浏览型号EM658160TS-33的Datasheet PDF文件第12页  
    ETR onTech
    绝对最大额定值
    符号
    V
    IN
    , V
    OUT
    V
    DD
    , V
    DDQ
    T
    OPR
    T
    英镑
    T
    SOLDER
    P
    D
    I
    OUT
    项
    4Mx16 DDR SDRAM
    EM658160
    等级
    - 0.3~ V
    DD
    + 0.3
    - 0.3~3.6
    0~70
    - 55~150
    260
    1
    50
    单位
    V
    V
    °C
    °C
    °C
    W
    mA
    记
    1
    1
    1
    1
    1
    1
    1
    输入，输出电压
    电源电压
    工作温度
    储存温度
    焊接温度（ 10秒）
    功耗
    短路输出电流
    建议的直流工作条件（大= 0 〜 70
    °C)
    参数
    电源电压
    电源电压（ I / O缓冲器）
    输入参考电压
    终止电压
    输入高电压（ DC ）
    输入低电压（DC）的
    输入电压电平， CLK和CLK ＃
    输入
    输入不同的电压， CLK和CLK ＃
    输入
    输入漏电流
    输出漏电流
    输出高电压
    输出低电压
    符号
    V
    DD
    V
    DDQ
    V
    REF
    V
    TT
    V
    IH
    （DC）的
    V
    IL
    （DC）的
    V
    IN
    （DC）的
    V
    ID
    （DC）的
    I
    I
    I
    OZ
    V
    OH
    V
    OL
    分钟。
    3.0
    2.3
    1.15
    V
    REF
    - 0.04
    V
    REF
    + 0.18
    -0.3
    -0.3
    -0.36
    -5
    -5
    V
    TT
    + 0.76
    马克斯。
    3.6
    2.7
    1.35
    V
    REF
    + 0.04
    V
    DDQ
    + 0.3
    V
    REF
    – 0.18
    V
    DDQ
    + 0.3
    V
    DDQ +
    0.6
    5
    5
    -
    V
    TT
    – 0.76
    单位
    V
    V
    V
    V
    V
    V
    V
    V
    µA
    µA
    V
    V
    I
    OH
    = -15.2毫安
    I
    OL
    = 15.2毫安
    记
    钰创机密
    8
    修订版1.1
    2002年1月

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