欢迎访问ic37.com |
会员登录 免费注册
发布采购

EM658160TS-33 参数 Datasheet PDF下载

EM658160TS-33图片预览
型号: EM658160TS-33
PDF下载: 下载PDF文件 查看货源
内容描述: 4M ×16的DDR同步DRAM (SDRAM)的 [4M x 16 DDR Synchronous DRAM (SDRAM)]
分类和应用: 动态存储器双倍数据速率
文件页数/大小: 26 页 / 158 K
品牌: ETRON [ ETRON TECHNOLOGY, INC. ]
 浏览型号EM658160TS-33的Datasheet PDF文件第7页浏览型号EM658160TS-33的Datasheet PDF文件第8页浏览型号EM658160TS-33的Datasheet PDF文件第9页浏览型号EM658160TS-33的Datasheet PDF文件第10页浏览型号EM658160TS-33的Datasheet PDF文件第12页浏览型号EM658160TS-33的Datasheet PDF文件第13页浏览型号EM658160TS-33的Datasheet PDF文件第14页浏览型号EM658160TS-33的Datasheet PDF文件第15页  
ETR onTech
注意:
2.所有电压参考V
SS
.
4Mx16 DDR SDRAM
EM658160
1.压力大于下"Absolute最大Ratings"上市可能会造成永久性损坏
装置。
3.这些参数取决于循环率,并且这些值是由下的循环速率测量
吨的最小值
CK
和T
RC
。输入信号吨期间一次改变
CK
.
4,上电顺序附注6所述。
5.交流测试条件
SSTL_2接口
参考电平输出信号(V
RFE
)
输出负载
输入信号电平
输入信号斜率
输入信号的参考电平
0.5 * V
DDQ
参考下输出负载( A)
V
REF
+0.35 V / V
REF
-0.35 V
1 V / ns的
0.5 * V
DDQ
0.5*V
DDQ
25
25
产量
30pF
SSTL_2交流测试负载
6.
上电顺序
电时,必须按以下顺序进行。
1)功率必须施加到V
DD
和V
DDQ
(同时)当所有的输入信号保持"NOP"状态
CKE保持“低” 。适用于V电源
DDQ
同时为V
TT
和V
REF 。
2 )上电后, 200无操作
μ-秒
最低是必需的。
3)启动时钟CKE保持“HIGH ”来维持或者无操作或设备取消选择的输入。
4 )发行EMRS - 使DLL 。
5 )发行MRS - 复位DLL ,并设置设备闲置,位A8 (增加200分钟周期的时钟是
所需的DLL锁)
6 )预充电设备的所有银行。
7 )两个或多个自动刷新命令。
8 )发行MRS - 设备初始化操作。
钰创机密
11
修订版1.1
2002年1月