ETR onTech
(V
DD
= 3.3
±
0.3 V ，TA = 0 〜 70
°C)
符号
参数
4Mx16 DDR SDRAM
EM658160
电气特性和推荐AC工作条件
- 3.3/3.5/4/5/6/7/8
分钟。
马克斯。
单位
t
RC
t
RFC
t
RAS
t
RCD
t
RP
t
RRD
tw
R
t
CDLR
t
CCD
t
CK
行周期时间
刷新行周期时间
行活动时间
/ RAS到/ CAS延时
行预充电时间
行有效至行主动延迟
写恢复时间
最后的数据读取命令
上校地址上校地址的延迟
44/44/44/55/60/70/80
56/56/56/70/84/91/96
32/32/32/40/42/49/56
12/12/12/15/18/21/24
12/12/12/15/18/21/24
6.6/7/8/10/12/14/16
2
2.5t
CK-
t
DQSS
1
3.3/3.5/4/5/6/7/8
5/5/5.5/6/7.5/8/9
6/6/7/8/9/10/11
0.45
0.45
-0.6/-0.6/-0.6/-0.7/-0.7/-0.75/-0.8
-0.6/-0.6/-0.6/-0.7/-0.7/-0.75/-0.8
-0.5/-0.5/-0.5/-0.5/-0.5/-0.5/-0.6
0.9
0.4
0.75
0.4/0.4/0.4/0.4/0.45/0.5/0.55
0.4/0.4/0.4/0.4/0.45/0.5/0.55
0.4
0.4
0.4
1.1
1.1
1
0.4/0.4/0.4/0.4/0.45/0.5/0.55
0.4/0.4/0.4/0.4/0.45/0.5/0.55
0.3
t
IS
+1t
CK
12/12/11/11/10/10/10
200
t
IS
+2t
CK
0.6
0.6
0.6
15
15
15
0.55
0.55
0.6/0.6/0.6/0.7/0.7/0.75/0.8
0.6/0.6/0.6/0.7/0.7/0.75/0.8
0.5/0.5/0.5/0.5/0.5/0.5/0.6
1.1
0.6
1.25
120000
ns
ns
ns
ns
ns
ns
t
CK
t
CK
t
CK
ns
时钟周期时间
CL*=3
CL*=2.5
CL*=2
t
CH
t
CL
时钟高电平宽度
时钟低电平宽度
t
CK
t
CK
ns
ns
ns
t
CK
t
CK
t
CK
ns
ns
t
CK
t
CK
t
CK
ns
ns
t
CK
ns
ns
t
CK
ns
t
CK
t
CK
t
DQSCK
从CK ， / CK DQS进出时间
t
AC
t
DQSQ
t
RPRE
t
RPST
t
DQSS
从CK输出访问时间， / CK
DQS -DQ歪斜
阅读序言
阅读后同步
CK到有效DQS-中
t
WPRES
DQS -的建立时间
t
WPREH
DQS -保持时间
t
WPST
t
DQSH
t
DQSL
t
IS
t
IH
t
MRD
t
DS
t
DH
t
QH
t
PDEX
t
XSA
t
XSR
DQS写后同步
在高电平脉冲宽度DQS
在低电平脉冲宽度DQS
地址和控制输入建立时间
地址和控制输入保持时间
模式寄存器设置循环时间
DQ & DM设置时间DQS
DQ & DM保持时间DQS
输出DQS有效窗口
掉电退出时间
自刷新退出活跃
命令延迟
自刷新退出阅读
命令延迟
钰创机密
10
修订版1.1
2002年1月
ETRON [ ETRON TECHNOLOGY, INC. ]
