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EM68932DVKB-6H 参数 Datasheet PDF下载

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型号: EM68932DVKB-6H
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内容描述: 4M ×32的移动DDR同步DRAM (SDRAM)的 [4M x 32 Mobile DDR Synchronous DRAM (SDRAM)]
分类和应用: 动态存储器双倍数据速率
文件页数/大小: 40 页 / 342 K
品牌: ETRON [ ETRON TECHNOLOGY, INC. ]
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EM68932DVKB  
EtronTech  
Table 16. Recommended A.C. Operating Conditions  
(VDD=1.7V~1.95V, TA =-25~85°C)  
Parameter  
Input High Voltage (AC)  
Symbol  
VIH (AC)  
VIL (AC)  
VIX (AC)  
Min.  
Max.  
Unit Note  
0.8 x VDDQ  
VDDQ+0.3  
0.2 x VDDQ  
0.6 x VDDQ  
V
V
V
1
1
2
Input Low Voltage (AC)  
Input Crossing Point Voltage, CK and  
Note:  
-0.3  
inputs  
CK  
0.4 x VDDQ  
1. These parameters should be tested at the pin on actual components and may be checked at either the pin  
or the pad in simulation.  
2. The value of VIX is expected to equal 0.5 x VDDQ of the transmitting device and must track variation in the DC  
level of the same.  
Table 17. LVCMOS Interface  
Reference Level of Output Signals  
Output Load  
0.5 x VDDQ  
Reference to the Test Load  
0.8 x VDDQ / 0.2 x VDDQ  
1 V/ns  
Input Signal Levels (VIH/ VIL)  
Input Signals Slew Rate  
Reference Level of Input Signals  
0.5 x VDDQ  
Figure 4. LVCMOS A.C. Test Load  
0.5 x VDDQ  
50  
Output  
Z0=50Ω  
20pF  
Etron Confidential  
18  
Rev. 1.0  
Aug. 2009  
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