ESMT
变量地址空间寄存器（ VAR ）
M24D16161ZA
变量地址空间，地址模式
部分阵列刷新模式（ A3 = 0 ，A4 = 1）
A2
0
0
0
1
1
1
A1,A0
1 1
1 0
0 1
1 1
1 0
0 1
刷新节
1/4
th
该阵列的
1/2
th
该阵列的
3/4
th
该阵列的
1/4
th
该阵列的
1/2
th
该阵列的
3/4
th
该阵列的
1/4
th
该阵列的
1/2
th
该阵列的
3/4
th
该阵列的
全阵列
1/4
th
该阵列的
1/2
th
该阵列的
3/4
th
该阵列的
全阵列
地址
00000H - 3FFFFH （ A19 = A18 = 0 ）
00000H - 7FFFFH （ A19 = 0 ）
从00000h - BFFFFh （ A19 ： A18不等于1 1）
C0000H - FFFFFh地址（ A19 = A18 = 1 ）
80000h - FFFFFh地址（ A19 = 1 ）
40000H - FFFFFh地址（ A19 ： A18不等于0 ）
降低内存大小模式（ A3 = 1 ， A4 = 1 ）
0
0
0
0
1
1
1
1
1 1
1 0
0 1
0 0
1 1
1 0
0 1
0 0
00000H - 3FFFFH （ A19 = A18 = 0 ）
00000H - 7FFFFH （ A19 = 0 ）
从00000h - BFFFFh （ A19 ： A18不等于1 1）
00000H - FFFFFh地址（默认）
C0000H - FFFFFh地址（ A19 = A18 = 1 ）
80000h - FFFFFh地址（ A19 = 1 ）
40000H - FFFFFh地址（ A19 ： A18不等于0 ）
00000H - FFFFFh地址（默认）
256K ×16
512K ×16
768K ×16
1M ×16
256K ×16
512K ×16
768K ×16
1M ×16
4M
8M
12M
16M
4M
8M
12M
16M
SIZE
256K ×16
512K ×16
768K ×16
256K ×16
512K ×16
768K ×16
密度
4M
8M
12M
4M
8M
12M
晶豪科科技有限公司
出版日期
:
2007年7月
调整
:
1.0
5/15
ESMT [ ELITE SEMICONDUCTOR MEMORY TECHNOLOGY INC. ]
