ESMT
引脚配置[2 ， 3 ]
48球VFBGA
顶视图
M24D16161ZA
产品组合
产品
M24D16161ZA
分钟。
1.7
V
CC
范围（V ）
典型值。
1.8
马克斯。
1.95
速度快（纳秒）
70
功耗
我的操作
CC
（MA ）
待我
SB2
(µA)
F = 1MHz的
f = f
最大
Typ.[4]
马克斯。
Typ.[4]
马克斯。
典型值。 [4]
马克斯。
3
5
18
20
55
70
待机模式下，通过所配置的用户
设置在变址寄存器。
一旦
ZZ
返回HIGH在这种模式下， PSRAM蜗居
过操作摄像机全地址刷新。请参考“变量
地址空间寄存器（ VAR ） “的第4页的协议
关闭内存中的部分处于待机模式。如果VAR
注册后，上电没有更新了， PSRAM将是
在其默认状态。在默认状态下，整个内存
阵会刷新在待机模式。 16兆位是
分为4个4兆位段允许某些部分，以
被激活（即，刷新） 。
深度休眠模式
在这种模式下，在PSRAM中的数据完整性是不
保证。此模式可用于降低功率
在一个应用程序中的PSRAM中的消耗。此模式可
启用和禁用通过VAR类似RMS和
PAR模式。深度睡眠模式通过驱动激活
ZZ
低。该设备停留在深度睡眠模式，直到
ZZ
is
驱动为高电平。
低功耗模式
在上电时，所有的四个部分的模头被激活，并且
PSRAM进入全内存大小默认状态，并
刷新空间。该器件提供了四种不同的低功耗
模式。
1.Reduced内存大小操作
2.Partial阵列刷新
3.Deep睡眠模式
4.温度控制刷新
降低内存大小操作
在这种模式下， 16Mb的PSRAM中可以作为一个被操作
12兆位，8兆比特或4兆位存储器块。请参阅
“变量地址空间寄存器（ VAR ） ”第4页上的
协议打开存储器的开/关部分。该装置
仍然按照RMS模式，直到变为变量地址
空间的寄存器是由恢复到完整的16兆位
PSRAM 。
部分阵列刷新
该部分阵列刷新模式允许客户关闭
在待机模式中的存储块的部分（与
ZZ
接低电平） ，以减少待机电流。在这种模式下， PSRAM
将只刷新存储器中的某些部分
注意事项：
2.Ball H6 ，E3可以被用来分别升级到32M和64M的密度。
3.NC “无连接” - 内部没有连接到芯片。
4.Typical值包括仅供参考，不保证或测试。典型值是在V测量
CC
= V
CC （典型值）。
,
T
A
= 25°C 。最初和之后的任何设计改变可能影响参数进行测试。
晶豪科科技有限公司
出版日期
:
2007年7月
调整
:
1.0
3/15
ESMT [ ELITE SEMICONDUCTOR MEMORY TECHNOLOGY INC. ]
