ESMT
开关特性
在工作范围[ 12 ， 13 ， 14 ， 15 ， 18 ]
参数
读周期
t
RC
[17]
t
CD
t
AA
t
OHA
t
ACE
t
美国能源部
t
LZOE
t
HZOE
t
LZCE
t
HZCE
t
DBE
t
LZBE
t
HZBE
写周期[ 15 ]
t
WC
t
SCE
t
AW
t
HA
t
SA
t
PWE
t
BW
t
SD
t
HD
t
HZWE
t
LZWE
读周期时间
芯片取消了CE ，
BLE
/
BHE
高脉冲时间
地址到数据有效
从地址变化数据保持
CE低到数据有效
OE低到DATA有效
OE低到低Z [ 13 ， 14 ， 16 ]
OE高来高Z [ 13 ， 14 ， 16 ]
CE LOW低Z [ 13 ， 14 ， 16 ]
CE高来高Z [ 13 ， 14 ， 16 ]
BLE
/
BHE
低到数据有效
BLE
/
BHE
低到低Z [ 13 ， 14 ， 16 ]
BLE
/
BHE
高来高Z [ 13 ， 14 ， 16 ]
M24D16161ZA
描述
-70
分钟。
70
15
10
70
35
5
25
10
25
70
5
25
70
60
15
60
0
0
50
60
25
0
10
25
40000
马克斯。
40000
70
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
写周期时间
CE低到写结束
芯片取消了CE ，
BLE
/
BHE
高脉冲时间
从写端地址保持
地址建立到开始写
WE
脉冲宽度
BLE
/
BHE
低到写结束
数据建立到写结束
从写端数据保持
WE
从低到高-Z [13 ， 14 ， 16 ]
WE
前高后低-Z [13 ， 14 ， 16 ]
注意事项：
12.测试条件比三态参数之外的所有参数假设1纳秒/ V，定时基准信号过渡时间
V水平
CC
/ 2 ，输入脉冲为0V电平到V
CC
指定I ，并输出负载
OL
/I
OH
如图所示，在“交流测试负载和
波形“部分。
13.在任何给定的温度和电压条件下吨
HZCE
小于吨
LZCE
, t
HZBE
小于吨
LZBE
, t
HZOE
小于吨
LZOE
和
t
HZWE
小于吨
LZWE
对于任何给定的设备。所有低Z参数将具有30 pF的（1.8V）的负载电容进行测量。
14. t
HZOE
, t
HZCE
, t
HZBE
和叔
HZWE
当输出进入高阻抗状态转变进行测定。
15.存储器的内部写时间是由重叠定义
WE
，CE = V
IL
,
BHE
和/或
BLE
= V
IL
。所有信号
必须积极主动写任何这些信号可以通过将非活动结束写入。数据输入设置
和保持时间应参考该终止写信号的边缘。
16.高阻抗和低阻抗参数为特征，并未经过100 ％测试。
17.如果地址无效信号要比分钟短。吨
RC
被连续重复40微秒，该装置需要一个正常读出时序
(t
RC
），或者需要在每40微秒输入至少一次的待机状态。
18.为了实现70 ns的性能，所读取的访问必须的CE控制。也就是说，地址必须是稳定之前
以行政长官会活跃。
晶豪科科技有限公司
出版日期
:
2007年7月
调整
:
1.0
9/15
ESMT [ ELITE SEMICONDUCTOR MEMORY TECHNOLOGY INC. ]
