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M11L416256SA 参数 Datasheet PDF下载

M11L416256SA图片预览
型号: M11L416256SA
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内容描述: 256千×16 EDO DRAM页模式 [256 K x 16 DRAM EDO PAGE MODE]
分类和应用: 动态存储器
文件页数/大小: 16 页 / 411 K
品牌: ESMT [ ELITE SEMICONDUCTOR MEMORY TECHNOLOGY INC. ]
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EliteMT
真值表
地址
M11L416256SA
功能
RAS
H
L
L
L
L
L
CASL现金
H X将
L
L
H
L
L
H X将
L
H
L
L
H
WE
X
H
H
H
L
L
OE
X
L
L
L
X
X
DQ
S
高-Z
数据输出
低字节,数据输出
高位字节,数据输出
数据在
低字节,数据输入,
高字节,高Z
低字节,高Z ,
高位字节,数据输入
数据输出,数据输入
数据输出
数据输出
数据输出
笔记
ROW
X
ROW
ROW
ROW
ROW
ROW
COL
X
COL
COL
COL
COL
COL
待机
阅读: WORD
阅读:低字节
阅读:高字节
写:字(早期写)
写:低字节(早)
写:高字节(早)
读 - 写
第一个周期
EDO -PAGE -MODE
第二个周期
任何周期
EDO -PAGE -MODE第一个周期
第二个周期
EDO -PAGE -MODE第一个周期
读 - 写
第二个周期
隐藏刷新
RAS
- 仅刷新
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L H L
L
H L
H L
H
L
H L
H L
L H
H L
H L
H L
H L
L
H
L
L
L
L
H L
H L
L H
H L
H L
H L
H L
L
H
L
L
L
X
ROW
ROW
ROW
COL
COL
COL
COL
H L L H
H
H
H
L
L
L
L
L
X
X
1, 2
2
2
2
1
1
1, 2
1, 2
2
ROW
COL
COL
数据在
数据在
数据输出,数据输入
数据输出,数据输入
数据输出
高-Z
H L L H
H L L H
H
X
H
H
L
X
X
X
ROW
COL
COL
ROW
ROW
X
X
COL
CBR刷新
自刷新
X
X
高-Z
高-Z
3
3
*注: 1.这些写入周期也可能是字节写周期(无论是
CASL
or
现金
活性) 。
2.这些读周期也可能是字节读周期(无论是
CASL
or
现金
活性) 。
3.只有一个
CAS
必须有效(
CASL
or
现金
).
精英存储科技有限公司
出版日期:八月2005年
调整
:
1.4
7/16