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    M11L416256SA 参数 Datasheet PDF下载

    M11L416256SA图片预览
    型号： M11L416256SA
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 256千×16 EDO DRAM页模式 [256 K x 16 DRAM EDO PAGE MODE]
    分类和应用： 动态存储器
    文件页数/大小： 16 页 / 411 K
    品牌： ESMT [ ELITE SEMICONDUCTOR MEMORY TECHNOLOGY INC. ]
     浏览型号M11L416256SA的Datasheet PDF文件第1页浏览型号M11L416256SA的Datasheet PDF文件第2页浏览型号M11L416256SA的Datasheet PDF文件第3页浏览型号M11L416256SA的Datasheet PDF文件第4页浏览型号M11L416256SA的Datasheet PDF文件第6页浏览型号M11L416256SA的Datasheet PDF文件第7页浏览型号M11L416256SA的Datasheet PDF文件第8页浏览型号M11L416256SA的Datasheet PDF文件第9页  
    EliteMT
    （续）
    参数
    读命令保持时间参考
    CAS
    读命令保持时间参考
    RAS
    符号
    民
    M11L416256SA
    -35
    最大
    ns
    ns
    ns
    9,15,19
    9
    20
    10,17,20
    17,26
    11,15,18
    15,25
    15
    15
    15
    15,19
    12,20
    12,20
    单位
    笔记
    t
    RCH
    t
    RRH
    t
    CLZ
    t
    OFF1
    t
    OFF2
    t
    WCS
    t
    WCH
    t
    WCR
    t
    WP
    t
    RWL
    t
    CWL
    t
    DS
    t
    DH
    t
    DHR
    t
    RWD
    t
    AWD
    t
    CWD
    t
    T
    t
    REF
    t
    RPC
    t
    企业社会责任
    t
    CHR
    t
    OEH
    t
    OES
    t
    OEHC
    t
    OEP
    t
    ORD
    t
    CLCH
    t
    COH
    t
    WHZ
    t
    RASS
    t
    RPS
    t
    CHS
    0
    0
    3
    3
    15
    8
    0
    5
    30
    5
    9
    7
    0
    5
    30
    51
    34
    26
    2.5
    10
    10
    10
    4
    4
    2
    2
    0
    5
    3
    3
    100
    65
    -50
    7
    50
    8
    CAS
    到输出低-Z
    输出缓冲关断延迟从
    CAS
    or
    RAS
    输出缓冲关断，
    OE
    写命令设置时间
    写命令保持时间
    写命令保持时间（参考
    RAS
    )
    WRITE命令的脉冲宽度
    写命令
    RAS
    交货时间
    写命令
    CAS
    交货时间
    数据的建立时间
    数据保持时间
    数据保持时间（参考
    RAS
    )
    ns
    ns
    ns
    ns
    ns
    ns
    ns
    ns
    ns
    ns
    ns
    ns
    ns
    ns
    ns
    ms
    ns
    ns
    ns
    ns
    ns
    ns
    ns
    ns
    RAS
    to
    WE
    延迟时间
    列地址为
    WE
    延迟时间
    11
    11
    11,18
    2,3
    CAS
    to
    WE
    延迟时间
    转换时间（上升或下降）
    刷新周期（ 512个周期）
    RAS
    to
    CAS
    预充电时间
    CAS
    建立时间（ CBR刷新）
    CAS
    保持时间（ CBR刷新）
    OE
    从保持时间
    WE
    中
    阅读模式 - 写周期
    1,18
    1,19
    16
    OE
    低
    CAS
    高建立时间
    OE
    从高保持时间
    CAS
    高
    OE
    预充电时间
    OE
    安装前
    RAS
    在隐
    刷新周期
    LAST
    CAS
    将低到第一
    CAS
    返回HIGH
    数据输出保持后
    CAS
    回到低
    输出禁用延迟从
    WE
    自刷新
    RAS
    低脉冲宽度
    自刷新
    RAS
    高预充电时间
    自刷新
    CAS
    保持时间
    ns
    ns
    ns
    21
    μ
    s
    ns
    ns
    27,28
    27,28
    27,28
    精英存储科技有限公司
    出版日期：八月2005年
    调整
    :
    1.4
    5/16

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