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M11L416256SA 参数 Datasheet PDF下载

M11L416256SA图片预览
型号: M11L416256SA
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内容描述: 256千×16 EDO DRAM页模式 [256 K x 16 DRAM EDO PAGE MODE]
分类和应用: 动态存储器
文件页数/大小: 16 页 / 411 K
品牌: ESMT [ ELITE SEMICONDUCTOR MEMORY TECHNOLOGY INC. ]
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EliteMT
电容
( TA = 25
°
C,V
CC
= 3.3V
±
10%)
参数
符号
典型值
最大
M11L416256SA
单位
输入电容(地址)
输入电容(
RAS
,
现金
,
CASL
我们,
OE
)
输出电容( I / O0〜I / O15 )
C
I1
C
I2
C
I / O
-
-
-
5
7
10
pF
pF
pF
AC电气特性
( TA = 0 〜70
°
C,V
CC
=3.3V
±
10%, V
SS
= 0V )(注14 )
测试条件
输入时序参考电平: 0.8V , 2.0V
输出参考电平: V
OL
= 0.8V, V
OH
=2.0V
输出负载: 2TTL门+ CL ( 50pF的)
采取的T
T
= 2ns的
参数
读或写周期时间
读写周期时间
EDO页模式读或写周期
时间
EDO -PAGE -MODE读,写周期
时间
访问时间从
RAS
访问时间从
CAS
访问时间从
OE
从列地址访问时间
访问时间从
CAS
预充电
符号
-35
最大
单位
笔记
t
RC
t
RWC
t
PC
t
PCM
t
RAC
t
CAC
t
OAC
t
AA
t
ACP
t
RAS
t
RASC
t
RSH
t
RP
t
CAS
t
CSH
t
CP
t
RCD
t
CRP
t
ASR
t
RAH
t
拉德
t
ASC
t
CAH
t
AR
t
拉尔
t
RCS
65
95
14
42
35
10
10
18
20
35
35
10
25
5
30
5
10
5
0
5
8
0
5
30
18
0
17
25
10K
10K
100K
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
15,18
22
22
4
5,20
13,20
20
RAS
脉冲宽度
RAS
脉冲宽度( EDO页面模式)
RAS
保持时间
RAS
预充电时间
CAS
脉冲宽度
CAS
保持时间
CAS
预充电时间
RAS
to
CAS
延迟时间
CAS
to
RAS
预充电时间
行地址建立时间
行地址保持时间
25
24
19
6,23
7,18
19
RAS
到列地址的延迟时间
列地址设置时间
列地址保持时间
列地址保持时间(参考
to
RAS
)
列地址为
RAS
交货时间
READ命令设置时间
8
18
18
精英存储科技有限公司
出版日期:八月2005年
调整
:
1.4
4/16