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    M14D5121632A-2.5BIG2H 参数 Datasheet PDF下载

    M14D5121632A-2.5BIG2H图片预览
    型号： M14D5121632A-2.5BIG2H
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： [DDR DRAM, 32MX16, 0.4ns, CMOS, PBGA84, 8 X 12.50 MM, 1.20 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, BGA-84]
    分类和应用： 动态存储器双倍数据速率内存集成电路
    文件页数/大小： 62 页 / 1001 K
    品牌： ESMT [ ELITE SEMICONDUCTOR MEMORY TECHNOLOGY INC. ]
     浏览型号M14D5121632A-2.5BIG2H的Datasheet PDF文件第1页浏览型号M14D5121632A-2.5BIG2H的Datasheet PDF文件第2页浏览型号M14D5121632A-2.5BIG2H的Datasheet PDF文件第4页浏览型号M14D5121632A-2.5BIG2H的Datasheet PDF文件第5页浏览型号M14D5121632A-2.5BIG2H的Datasheet PDF文件第6页浏览型号M14D5121632A-2.5BIG2H的Datasheet PDF文件第7页浏览型号M14D5121632A-2.5BIG2H的Datasheet PDF文件第8页浏览型号M14D5121632A-2.5BIG2H的Datasheet PDF文件第9页  
    ESMT
    M14D5121632A (2H)
    Operation Temperature Condition (T
    C
    ) -40
    °
    C~95
    °
    C
    BALL CONFIGURATION (TOP VIEW)
    (BGA84, 8mmX12.5mmX1.2mm Body, 0.8mm Ball Pitch)
    1
    A
    B
    C
    D
    E
    F
    G
    H
    J
    K
    L
    M
    N
    P
    R
    V
    DD
    V
    SS
    NC
    V
    DD
    DQ14
    V
    DDQ
    DQ12
    V
    DD
    DQ6
    V
    DDQ
    DQ4
    V
    DDL
    2
    NC
    V
    SSQ
    DQ9
    V
    SSQ
    NC
    V
    SSQ
    DQ1
    V
    SSQ
    V
    REF
    CKE
    BA0
    A10
    A3
    A7
    A12
    3
    V
    SS
    UDM
    V
    DDQ
    DQ11
    V
    SS
    LDM
    7
    V
    SSQ
    UDQS
    8
    UDQS
    9
    V
    DDQ
    DQ15
    V
    DDQ
    DQ13
    V
    DDQ
    DQ7
    V
    DDQ
    DQ5
    V
    DD
    ODT
    V
    SSQ
    DQ8
    V
    SSQ
    LDQS
    V
    DDQ
    DQ10
    V
    SSQ
    LDQS
    V
    DDQ
    DQ2
    V
    SSDL
    RAS
    CAS
    A2
    A6
    A11
    NC
    V
    SSQ
    DQ0
    V
    SSQ
    CLK
    CLK
    CS
    A0
    A4
    A8
    NC
    V
    DDQ
    DQ3
    V
    SS
    WE
    BA1
    A1
    A5
    A9
    NC
    V
    DD
    V
    SS
    Elite Semiconductor Memory Technology Inc.
    Publication Date : Aug. 2011
    Revision : 1.1
    3/62

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