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M13S5121632A-4TG2R 参数 Datasheet PDF下载

M13S5121632A-4TG2R图片预览
型号: M13S5121632A-4TG2R
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内容描述: [DDR DRAM, 32MX16, 0.7ns, CMOS, PDSO66, 0.400 X 0.875 INCH, 0.65 MM PITCH, LEAD FREE, TSOP2-66]
分类和应用: 动态存储器双倍数据速率光电二极管内存集成电路
文件页数/大小: 48 页 / 666 K
品牌: ESMT [ ELITE SEMICONDUCTOR MEMORY TECHNOLOGY INC. ]
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ESMT  
M13S5121632A (2R)  
Revision History  
Revision  
Date  
Description  
1.0  
1.1  
1.2  
1.3  
2012.03.12  
2012.12.03  
2012.12.19  
2013.02.22  
Original  
Modify TSOPII package dimension  
Modify the voltage for speed grade -5  
Add AC Overshoot / Undershoot Specification  
Elite Semiconductor Memory Technology Inc.  
Publication Date : Feb. 2013  
Revision : 1.3 47/48  
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