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M13S5121632A-4TG2R 参数 Datasheet PDF下载

M13S5121632A-4TG2R图片预览
型号: M13S5121632A-4TG2R
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内容描述: [DDR DRAM, 32MX16, 0.7ns, CMOS, PDSO66, 0.400 X 0.875 INCH, 0.65 MM PITCH, LEAD FREE, TSOP2-66]
分类和应用: 动态存储器双倍数据速率光电二极管内存集成电路
文件页数/大小: 48 页 / 666 K
品牌: ESMT [ ELITE SEMICONDUCTOR MEMORY TECHNOLOGY INC. ]
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ESMT  
M13S5121632A (2R)  
Mode Register Set  
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10  
C L K  
C L K  
H I G H  
C K E  
t
M R D  
C S  
R A S  
C A S  
W E  
B A 0 , B A 1  
A
1 0 /A P  
ADDRESS KEY  
A D D R  
( A 0 ~ A n )  
D S  
D Q  
t
R P  
H i g h - Z  
H i g h - Z  
D Q S  
Any  
Command  
Mode Register Set  
Com mand  
Precharge  
Command  
All Bank  
:
D o n ’ t c a r e  
1 0 1 2 2 B 1 6 R . B  
Note: Power & Clock must be stable for 200us before precharge all banks.  
Elite Semiconductor Memory Technology Inc.  
Publication Date : Feb. 2013  
Revision : 1.3 44/48  
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