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M13S5121632A-4TG2R 参数 Datasheet PDF下载

M13S5121632A-4TG2R图片预览
型号: M13S5121632A-4TG2R
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内容描述: [DDR DRAM, 32MX16, 0.7ns, CMOS, PDSO66, 0.400 X 0.875 INCH, 0.65 MM PITCH, LEAD FREE, TSOP2-66]
分类和应用: 动态存储器双倍数据速率光电二极管内存集成电路
文件页数/大小: 48 页 / 666 K
品牌: ESMT [ ELITE SEMICONDUCTOR MEMORY TECHNOLOGY INC. ]
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ESMT  
M13S5121632A (2R)  
PACKING DIMENSIONS  
66-LEAD  
TSOP(II)  
DDR DRAM(400mil)  
Symbol  
Dimension in inch  
Dimension in mm  
Min  
Norm  
Max  
Min  
Norm  
Max  
1.2  
A
A1  
A2  
b
b1  
c
c1  
D
ZD  
E
0.047  
0.006  
0.041  
0.015  
0.013  
0.008  
0.006  
0.002  
0.037  
0.009  
0.009  
0.005  
0.0047  
0.004  
0.039  
0.05  
0.95  
0.22  
0.22  
0.12  
0.12  
0.1  
1
0.15  
1.05  
0.38  
0.33  
0.21  
0.16  
0.012  
0.3  
0.005  
0.127  
22.22 BSC  
0.71 REF  
11.76  
10.16 BSC  
0.65 BSC  
0.5  
0.875 BSC  
0.028 REF  
0.463  
0.400 BSC  
0.026 BSC  
0.02  
0.455  
0.016  
0.471  
0.024  
11.56  
0.4  
11.96  
0.6  
E1  
e
L
L1  
θ  
0.031 REF  
0.80 REF  
0  
8  
0  
8  
θ1  
10  
15  
20  
10  
15  
20  
Elite Semiconductor Memory Technology Inc.  
Publication Date : Feb. 2013  
Revision : 1.3  
46/48  
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