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M13S5121632A-4TG2R 参数 Datasheet PDF下载

M13S5121632A-4TG2R图片预览

型号：	M13S5121632A-4TG2R
PDF下载：	下载PDF文件查看货源
内容描述：	[DDR DRAM, 32MX16, 0.7ns, CMOS, PDSO66, 0.400 X 0.875 INCH, 0.65 MM PITCH, LEAD FREE, TSOP2-66]
分类和应用：	动态存储器双倍数据速率光电二极管内存集成电路
文件页数/大小：	48 页 / 666 K
品牌：	ESMT [ ELITE SEMICONDUCTOR MEMORY TECHNOLOGY INC. ]

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ESMT

M13S5121632A (2R)

Multi Bank Interleaving WRITE (@ BL=4)

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D on ’ t c a r e

1 0 1 2 2 B 1 6 R . B

Elite Semiconductor Memory Technology Inc.

Publication Date : Feb. 2013

Revision : 1.3 33/48

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