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M13S5121632A-4TG2R 参数 Datasheet PDF下载

M13S5121632A-4TG2R图片预览
型号: M13S5121632A-4TG2R
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内容描述: [DDR DRAM, 32MX16, 0.7ns, CMOS, PDSO66, 0.400 X 0.875 INCH, 0.65 MM PITCH, LEAD FREE, TSOP2-66]
分类和应用: 动态存储器双倍数据速率光电二极管内存集成电路
文件页数/大小: 48 页 / 666 K
品牌: ESMT [ ELITE SEMICONDUCTOR MEMORY TECHNOLOGY INC. ]
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ESMT  
M13S5121632A (2R)  
Write followed by Precharge (@ BL=4)  
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( A 0 ~ A n )  
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CHARGE  
C O M M A N D  
WRITE  
:
D o n ’ t c a r e  
1 0 1 2 2 B 1 6 R . B  
Elite Semiconductor Memory Technology Inc.  
Publication Date : Feb. 2013  
Revision : 1.3 36/48  
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