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M13S5121632A-4TG2R 参数 Datasheet PDF下载

M13S5121632A-4TG2R图片预览
型号: M13S5121632A-4TG2R
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内容描述: [DDR DRAM, 32MX16, 0.7ns, CMOS, PDSO66, 0.400 X 0.875 INCH, 0.65 MM PITCH, LEAD FREE, TSOP2-66]
分类和应用: 动态存储器双倍数据速率光电二极管内存集成电路
文件页数/大小: 48 页 / 666 K
品牌: ESMT [ ELITE SEMICONDUCTOR MEMORY TECHNOLOGY INC. ]
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ESMT  
M13S5121632A (2R)  
Timing Diagram  
Basic Timing (Setup, Hold and Access Time @ BL=4, CL=2)  
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10  
C L K  
C L K  
t
C H  
t
C H  
t
C L  
t
C L  
t
C K  
t
C K  
H IG H  
C K E  
t
I S  
C S  
t
I H  
R A S  
C A S  
BAa  
BAa  
Ra  
B A 0 , B A 1  
BAb  
A
1 0 /AP  
A D D R  
( A 0 ~ A n )  
C b  
Ra  
Ca  
W E  
D Q S  
D Q  
t
R P S T  
t
D Q S S  
t
D Q S C K  
t
D Q S C K  
t
W P S T  
t
t
D Q S L  
H i - Z  
H i - Z  
t
R P R E  
H i - Z  
H i - Z  
t
D Q S H  
t
D Q S Q  
t
WPREtDS  
t
DH  
DS  
t
WPRES  
t
A C  
t
DH  
t
H Z  
t
L Z  
D b 3  
Q a 0  
Q a 1  
Q a 2  
Q a 3  
D b 0  
D b 2  
D b 1  
t
Q H  
D M  
READ  
ACTIVE  
C O MM A N D  
WRITE  
:
D o n t c a r e  
1 0 1 2 2 B 1 6 R . B  
Elite Semiconductor Memory Technology Inc.  
Publication Date : Feb. 2013  
Revision : 1.3 31/48  
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