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    M13S32321A-6BG2G 参数 Datasheet PDF下载

    M13S32321A-6BG2G图片预览
    型号： M13S32321A-6BG2G
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： [DDR DRAM, 1MX32, 0.7ns, CMOS, PBGA144, FBGA-144]
    分类和应用： 动态存储器双倍数据速率内存集成电路
    文件页数/大小： 48 页 / 1146 K
    品牌： ESMT [ ELITE SEMICONDUCTOR MEMORY TECHNOLOGY INC. ]
     浏览型号M13S32321A-6BG2G的Datasheet PDF文件第32页浏览型号M13S32321A-6BG2G的Datasheet PDF文件第33页浏览型号M13S32321A-6BG2G的Datasheet PDF文件第34页浏览型号M13S32321A-6BG2G的Datasheet PDF文件第35页浏览型号M13S32321A-6BG2G的Datasheet PDF文件第37页浏览型号M13S32321A-6BG2G的Datasheet PDF文件第38页浏览型号M13S32321A-6BG2G的Datasheet PDF文件第39页浏览型号M13S32321A-6BG2G的Datasheet PDF文件第40页  
    ESMT  
    M13S32321A (2G)  
    Write followed by Precharge (@ BL=4)  
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    C L K  
    C L K  
    H I GH  
    C K E  
    C S  
    R A S  
    C A S  
    B A  
    A 8 /AP  
    A D D R  
    ( A 0 ~ A 7 , A 9 )  
    C a  
    W E  
    tW R  
    D Q S  
    D a 1  
    D a 3  
    D a 0  
    D a 2  
    D Q  
    D M  
    PRE  
    CHARGE  
    C O M M A N D  
    WRITE  
    :
    D o n ’ t c a r e  
    111 0 1 B 3 2 R . A  
    Elite Semiconductor Memory Technology Inc.  
    Publication Date : Aug. 2012  
    Revision : 1.0 36/48  

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