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M12S16161A-10TG 参数 Datasheet PDF下载

M12S16161A-10TG图片预览
型号: M12S16161A-10TG
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内容描述: 512K X 16位X 2Banks同步DRAM [512K x 16Bit x 2Banks Synchronous DRAM]
分类和应用: 存储内存集成电路光电二极管动态存储器时钟
文件页数/大小: 28 页 / 866 K
品牌: ESMT [ ELITE SEMICONDUCTOR MEMORY TECHNOLOGY INC. ]
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ESMT  
M12S16161A  
Single Bit Read-Write-Read Cycle (Same Page) @CAS Latency=3, Burst Length=1  
tC H  
4
0
1
2
3
5
6
7
8
9
10  
11  
12  
13  
14  
15  
16  
17  
18  
19  
C L O C K  
tC L  
tC C  
H I G H  
t S H  
C K E  
C S  
tR A S  
tR C  
*Note1  
tR P  
tR C D  
tS S  
tS H  
tS S  
R A S  
C A S  
tC C D  
tS H  
tS S  
tS S  
tS H  
A D D R  
R a  
R b  
C a  
C b  
C c  
tS H  
tS S  
*Note2  
*Note2,3  
*Note2,3  
*Note2,3  
*Note4  
*Note2  
BS  
BA  
BS  
BS  
BS  
BS  
BS  
*Note 3  
*Note 3  
*Note 3  
*Note4  
R b  
R a  
A10/AP  
D Q  
tR A C  
tS A C  
tS H  
Qc  
D b  
Qa  
tS L Z  
tS S  
tO H  
tS H  
tS S  
W E  
tS S  
tS H  
D Q M  
Row A c t i ve  
Read  
W r i t e  
Row A c t i ve  
Rea d  
Pr echar ge  
: D o n ' t C a r e  
Elite Semiconductor Memory Technology Inc.  
Publication Date : Jun. 2005  
Revision : 1.0 11/28