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M12L64164A-6BIG 参数 Datasheet PDF下载

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型号: M12L64164A-6BIG
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内容描述: 1M ×16位×4银行同步DRAM [1M x 16 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM]
分类和应用: 存储内存集成电路动态存储器
文件页数/大小: 45 页 / 821 K
品牌: ESMT [ ELITE SEMICONDUCTOR MEMORY TECHNOLOGY INC. ]
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ESMT  
M12L64164A  
Operation Temperature Condition -40°C~85°C  
Single Bit Read-Write-Read Cycle (Same Page) @ CAS Latency = 3,Burst Length = 1  
tC H  
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10  
11  
12  
13  
14  
15  
16  
17  
18  
19  
C L O C K  
tC L  
tC C  
H I G H  
tS H  
C K E  
C S  
t R A S  
tR C  
*Note1  
tR P  
tR C D  
tS S  
tS H  
tS S  
R A S  
C A S  
tC C D  
t S H  
tS S  
tS H  
A D D R  
R a  
R b  
C a  
C b  
C c  
t S S  
*Note2  
*Note2,3  
*Note2,3  
*Note2,3  
*Note4  
*Note2  
BS  
BS  
BS  
BS  
BS  
A13, A12  
BS  
*Note 3  
*Note 3  
*Note 3  
*Note4  
R b  
R a  
A10/AP  
tS A C  
t S H  
D Q  
Qc  
Qa  
D b  
tS L Z  
tS S  
tO H  
tS H  
tS S  
W E  
tS S  
tS H  
D Q M  
Ro w A c t i ve  
Read  
W r i t e  
Row A c t i ve  
Read  
Precharge  
: D o n ' t C a r e  
Elite Semiconductor Memory Technology Inc.  
Publication Date: Dec. 2007  
Revision: 1.2 28/45  
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