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M12L2561616A-7TIG2A 参数 Datasheet PDF下载

M12L2561616A-7TIG2A图片预览
型号: M12L2561616A-7TIG2A
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内容描述: [Synchronous DRAM, 16MX16, 5.4ns, CMOS, PDSO54, 0.400 X 0.875 INCH, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, TSOP2-54]
分类和应用: 动态存储器光电二极管内存集成电路
文件页数/大小: 45 页 / 681 K
品牌: ESMT [ ELITE SEMICONDUCTOR MEMORY TECHNOLOGY INC. ]
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ESMT  
M12L2561616A (2A)  
Operation Temperature Condition -40°C~85°C  
Single Bit Read-Write-Read Cycle (Same Page) @ CAS Latency = 3, Burst Length = 1  
t
C H  
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10  
11  
12  
13  
14  
15  
16  
17  
18  
19  
C L O C K  
t
C L  
t
C C  
H I G H  
C K E  
t
R A S  
R C  
t
t
S
H
* N o t e 1  
C S  
t
R C D  
t R P  
t
S S  
t
S H  
R A S  
C A S  
t
C C D  
t
S S  
t
S H  
t
S S  
t
S H  
A D D R  
C a  
C b  
R a  
C c  
R b  
t
S S  
* N o t e 2  
* N o t e 2 , 3  
* N o t e 4  
* N o t e 2 , 3  
* N o t e 2  
* N o t e 2 , 3  
BS  
B S  
B S  
BA0,BA1  
A10/AP  
BS  
BS  
B S  
* N o t e 3  
* N o t e 3  
* N o t e 4  
R b  
* N o t e 3  
R a  
t
S H  
t
S A C  
Q a  
D b  
D Q  
Q c  
t
S L Z  
t
S S  
t
O H  
t
S H  
W E  
t
S S  
t
S S  
t
S H  
D Q M  
R o w A ct i ve  
R e ad  
Re a d  
R o w A c t i v e  
W r i t e  
P r ec ha rg e  
: D o n ' t C a r e  
Elite Semiconductor Memory Technology Inc.  
Publication Date: Jun. 2012  
Revision: 1.1 27/45  
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