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    M12L2561616A-6TG2S 参数 Datasheet PDF下载

    M12L2561616A-6TG2S图片预览
    型号： M12L2561616A-6TG2S
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    内容描述： [暂无描述]
    分类和应用： 存储内存集成电路光电二极管动态存储器
    文件页数/大小： 45 页 / 933 K
    品牌： ESMT [ ELITE SEMICONDUCTOR MEMORY TECHNOLOGY INC. ]
     浏览型号M12L2561616A-6TG2S的Datasheet PDF文件第29页浏览型号M12L2561616A-6TG2S的Datasheet PDF文件第30页浏览型号M12L2561616A-6TG2S的Datasheet PDF文件第31页浏览型号M12L2561616A-6TG2S的Datasheet PDF文件第32页浏览型号M12L2561616A-6TG2S的Datasheet PDF文件第34页浏览型号M12L2561616A-6TG2S的Datasheet PDF文件第35页浏览型号M12L2561616A-6TG2S的Datasheet PDF文件第36页浏览型号M12L2561616A-6TG2S的Datasheet PDF文件第37页  
    ESMT  
    M12L2561616A (2K)  
    Page Write Cycle at Different Bank @ Burst Length = 4  
    *Note: 1. To interrupt burst write by Row precharge, DQM should be asserted to mask invalid input data.  
    2. To interrupt burst write by Row precharge, both the write and the precharge banks must be the same.  
    Elite Semiconductor Memory Technology Inc.  
    Publication Date: Jun. 2012  
    Revision: 1.4 33/45  

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