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    M12L2561616A-6TG2S 参数 Datasheet PDF下载

    M12L2561616A-6TG2S图片预览
    型号： M12L2561616A-6TG2S
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    内容描述： [暂无描述]
    分类和应用： 存储内存集成电路光电二极管动态存储器
    文件页数/大小： 45 页 / 933 K
    品牌： ESMT [ ELITE SEMICONDUCTOR MEMORY TECHNOLOGY INC. ]
     浏览型号M12L2561616A-6TG2S的Datasheet PDF文件第33页浏览型号M12L2561616A-6TG2S的Datasheet PDF文件第34页浏览型号M12L2561616A-6TG2S的Datasheet PDF文件第35页浏览型号M12L2561616A-6TG2S的Datasheet PDF文件第36页浏览型号M12L2561616A-6TG2S的Datasheet PDF文件第38页浏览型号M12L2561616A-6TG2S的Datasheet PDF文件第39页浏览型号M12L2561616A-6TG2S的Datasheet PDF文件第40页浏览型号M12L2561616A-6TG2S的Datasheet PDF文件第41页  
    ESMT  
    M12L2561616A (2K)  
    Read interrupted by Precharge Command & Read Burst Stop Cycle @ Burst Length = Full page  
    *Note: 1. About the valid DQs after burst stop, it is same as the case of RAS interrupt.  
    Both cases are illustrated above timing diagram. See the label 1, 2 on them.  
    But at burst write, Burst stop and RAS interrupt should be compared carefully.  
    Refer the timing diagram of “Full page write burst stop cycles”.  
    2. Burst stop is valid at every burst length.  
    Elite Semiconductor Memory Technology Inc.  
    Publication Date: Jun. 2012  
    Revision: 1.4 37/45  

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