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    M12L16161A-7TIG2Q 参数 Datasheet PDF下载

    M12L16161A-7TIG2Q图片预览
    型号： M12L16161A-7TIG2Q
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： [Synchronous DRAM, 1MX16, 6ns, CMOS, PDSO50, 0.400 X 0.875 INCH, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, TSOP2-50]
    分类和应用： 动态存储器光电二极管内存集成电路
    文件页数/大小： 28 页 / 706 K
    品牌： ESMT [ ELITE SEMICONDUCTOR MEMORY TECHNOLOGY INC. ]
     浏览型号M12L16161A-7TIG2Q的Datasheet PDF文件第3页浏览型号M12L16161A-7TIG2Q的Datasheet PDF文件第4页浏览型号M12L16161A-7TIG2Q的Datasheet PDF文件第5页浏览型号M12L16161A-7TIG2Q的Datasheet PDF文件第6页浏览型号M12L16161A-7TIG2Q的Datasheet PDF文件第8页浏览型号M12L16161A-7TIG2Q的Datasheet PDF文件第9页浏览型号M12L16161A-7TIG2Q的Datasheet PDF文件第10页浏览型号M12L16161A-7TIG2Q的Datasheet PDF文件第11页  
    ESMT
    Mode Register
    BA
    0
    BA
    X
    BA
    BA
    X
    BA
    0
    A10
    0
    A10
    x
    A10
    A10
    x
    A10
    0
    A9
    0
    A9
    1
    A9
    A9
    x
    A9
    0
    A8
    0
    A8
    0
    A8
    1
    A8
    1
    A8
    0
    A7
    1
    A7
    0
    A7
    0
    A7
    1
    A7
    0
    A6
    A5
    A4
    A3
    A2
    A2
    A2
    A2
    v
    A2
    A1
    A1
    BL
    A1
    A1
    v
    A1
    BL
    A0
    M12L16161A (2Q)
    Operation Temperature Condition -40
    °
    C~85
    °
    C
    JEDEC Standard Test Set (refresh counter test)
    A6 A5 A4 A3
    LTMODE
    WT
    A6
    A5
    A4
    A3
    A3
    v
    A3
    WT
    A0
    Burst Read and Single Write (for Write
    Through Cache)
    A0
    Use in future
    A6 A5 A4
    v
    v
    v
    A6 A5 A4
    LTMODE
    A0
    v
    A0
    Vender Specific
    Mode Register Set
    Bit2-0
    000
    001
    010
    011
    100
    101
    110
    111
    v =Valid
    x =Don’t care
    WT=0
    1
    2
    4
    8
    R
    R
    R
    Full page
    WT=1
    1
    2
    4
    8
    R
    R
    R
    R
    Burst length
    Wrap type
    0
    1
    Sequential
    Interleave
    Latency mode
    Bits6-4
    000
    001
    010
    011
    100
    101
    110
    111
    CAS Latency
    R
    R
    2
    3
    R
    R
    R
    R
    Remark R: Reserved
    Mode Register Write Timing
    CLOCK
    CKE
    CS
    RAS
    CAS
    WE
    A0-A10, BA
    Mode Register Write
    Elite Semiconductor Memory Technology Inc.
    Publication Date
    :
    Feb. 2012
    Revision
    :
    1.0
    7/28

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