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    M12L128324A-6BG2E 参数 Datasheet PDF下载

    M12L128324A-6BG2E图片预览
    型号： M12L128324A-6BG2E
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    内容描述： JEDEC标准的3.3V电源 [JEDEC standard 3.3V power supply]
    分类和应用：
    文件页数/大小： 44 页 / 908 K
    品牌： ESMT [ ELITE SEMICONDUCTOR MEMORY TECHNOLOGY INC. ]
     浏览型号M12L128324A-6BG2E的Datasheet PDF文件第26页浏览型号M12L128324A-6BG2E的Datasheet PDF文件第27页浏览型号M12L128324A-6BG2E的Datasheet PDF文件第28页浏览型号M12L128324A-6BG2E的Datasheet PDF文件第29页浏览型号M12L128324A-6BG2E的Datasheet PDF文件第31页浏览型号M12L128324A-6BG2E的Datasheet PDF文件第32页浏览型号M12L128324A-6BG2E的Datasheet PDF文件第33页浏览型号M12L128324A-6BG2E的Datasheet PDF文件第34页  
    ESMT  
    (Preliminary)  
    M12L128324A (2E)  
    Read & Write Cycle at Same Bank @ Burst Length = 4  
    *Note:  
    1. Minimum row cycle times is required to complete internal DRAM operation.  
    2. Row precharge can interrupt burst on any cycle. [CAS Latency-1] number of valid output data is available after Row  
    precharge. Last valid output will be Hi-Z (tSHZ) after the clock.  
    3. Output will be Hi-Z after the end of burst. (1, 2, 4, 8 & Full page bit burst)  
    Elite Semiconductor Memory Technology Inc.  
    Publication Date: Jun. 2011  
    Revision: 0.1 30/44  

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