M11L1644A-50T 参数 Datasheet PDF下载

型号：	M11L1644A-50T
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内容描述：	[EDO DRAM, 4MX4, 50ns, CMOS, PDSO24, TSOP2-26/24]
分类和应用：	动态存储器光电二极管内存集成电路
文件页数/大小：	16 页 / 200 K
品牌：	ESMT [ ELITE SEMICONDUCTOR MEMORY TECHNOLOGY INC. ]

M11B1644A / M11B1644SA

M11L1644A / M11L1644SA

CBR REFRESH CYCLE

(A0~A10 ; OE = DON’T CARE)

t_{R P}

t_{R A S}

t ^{R P}

t^{R A S}

V ^{I H}

V ^{I L}

R A S

t^{R P C}

t ^{C P}

t^{C S R}

t^{CH R}

t^{R P C}

t_{C H R}

V ^{I H}

V ^{I L}

C A S

I/O

OPE N

t_{R H R}

t_{R S R}

t^{R H R}

t_{R C H}

V ^{I H}

V ^{I L}

W E

HIDDEN REFRESH CYCLE

( WE = HIGH ; OE = LOW)

( R E A D )

( R E F R ES H )

t^{R A S}

t_{R A S}

t_{R P}

V ^{I H}

V ^{I L}

R AS

C AS

t_{C R P}

t_{R C D}

t _{C H R}

t_{R S H}

V^{I H}

V^{I L}

t_{A R}

t_{R A D}

t _{R A H}

t_{R A L}

t_{C A H}

t _{AS R}

t_{A S C}

V ^{I H}

V ^{I L}

R O W

C O L U M N

A D D R

t _{A A}

N O TE 1

t_{O F F 1}

t_{R AC}

t_{C A C}

t_{C L Z}

V^{O H}

V^{O L}

VA LI D D AT A

OP EN

O PE N

I/O

t^{O F F 2}

t_{O A C}

t_{O R D}

V ^{I H}

V ^{I L}

D O N ' T C A R E

U N D E F I N E D

OFF1

Note : 1. t

is reference from the rising edge of RAS or CAS , whichever occurs last.

Elite Semiconductor Memory Technology Inc.

Publication Date : May. 2001

Revision : 1.1

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