M11L1644A-50T 参数 Datasheet PDF下载

型号：	M11L1644A-50T
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内容描述：	[EDO DRAM, 4MX4, 50ns, CMOS, PDSO24, TSOP2-26/24]
分类和应用：	动态存储器光电二极管内存集成电路
文件页数/大小：	16 页 / 200 K
品牌：	ESMT [ ELITE SEMICONDUCTOR MEMORY TECHNOLOGY INC. ]

M11B1644A / M11B1644SA

M11L1644A / M11L1644SA

EDO-PAGE-MODE EARLY-WRITE CYCLE

t^{R AS C}

t_{R P}

V^{I H}

V^{I L}

RA S

CA S

t_{C S H}

t_{P C}

( N O TE 1)

t_{R S H}

t_{CA S}

t_CP

t_{C R P}

t^{C AS}

t_{C P}

t^{RC D}

t^{C AS}

t^{C P}

V^{I H}

V^{I L}

t_{A C H}

t^{R AL}

t^{C A H}

t^{A R}

t_{A S C}

t_{A C H}

t^{C AH}

t_{AC H}

t_{CA H}

t^{R AD}

t_{R A H}

t_{A S R}

t_{AS C}

t_{A S C}

V ^{I H}

V ^{I L}

CO L U M N

AD DR

C O LU M N

t^{C W L}

R O W

t_{C W L}

t_{W C H}

t _{W P}

t_{C W L}

t_{W C H}

t _{W P}

t_{W C S}

t_{W C H}

t_{W P}

t_{W C S}

V ^{I H}

V ^{I L}

W E

t_{W C R}

t^{DH R}

t_{D H}

t^{R W L}

t_{D H}

t_{D S}

t_{D H}

t_{D S}

V^{I H}

I L

I/O

VAL ID D AT A

VALID D ATA

VAL ID DAT A

V^{I H}

V^{I L}

EDO-PAGE-MODE READ-WRITE CYCLE

(LATE WRITE and READ-MODIFY-WRITE CYCLES)

t_{R A S C}

t_{R P}

V^{I H}

V^{I L}

RA S

CAS

t_{R S H}

t_{C A S}

t_{C S H}

t_{P C M}

t_{C AS}

t_{C P}

t_{C AS}

t^{C P}

t_{C R P}

t_{R C D}

t_{C P}

V ^{I H}

V ^{I L}

t_{A R}

t_{AC H}

t^{R A L}

t_{A S C}t_{C A H}

t^{A C H}

t_{C AH}

t_{R AD}

t_{R AH}

t_{A C H}

t_{C AH}

t^{A S R}

t_{A S C}

t_{AS C}

V ^IH

V ^IL

A D D R

R O W

C O LU M N

C O L UM N

R O W

t_{R W D}

t_{C W L}

t ^{W P}

t_{R W L}

t^{R C S}

t_{CW L}

t^{W P}

t_{A W D}

t_{C W D}

t_{C W L}

t _{W P}

t^{A W D}

t_{C W D}

t_{A W D}

t_{C W D}

V^{I H}

V^{I L}

W E

t ^{A A}

t_{A A}

t_{R A C}

t_{D H}

t_{D S}

t_{A C P}

t_{AC P}

t_{C AC}

t_{C L Z}

t_{D S}

t^{C AC}

t_{C L Z}

t^{C AC}

t_{C L Z}

V^{I / O H}

V^{I / O L}

V A L I D

VA L I D

V A L I D V A L I D

V A L I D

VA L I D

I N

I/O

O U T

D^O

I N

t^{O F F 2}

t^{O E H}

t_{O F F 2}

t_{O AC}

t_{O A C}

t_{O AC}

V ^IH

V ^IL

DON'T CARE

UNDEFINED

Note : 1. t can be measured from falling edge to falling edge of CAS , or from rising edge to rising edge of CAS . Both

measurements must meet the t specification.

Elite Semiconductor Memory Technology Inc.

Publication Date : May. 2001

Revision : 1.1 10/16

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