M11L1644A-50T 参数 Datasheet PDF下载

型号：	M11L1644A-50T
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内容描述：	[EDO DRAM, 4MX4, 50ns, CMOS, PDSO24, TSOP2-26/24]
分类和应用：	动态存储器光电二极管内存集成电路
文件页数/大小：	16 页 / 200 K
品牌：	ESMT [ ELITE SEMICONDUCTOR MEMORY TECHNOLOGY INC. ]

M11B1644A / M11B1644SA

M11L1644A / M11L1644SA

EDO-PAGE-MODE READ-EARLY-WRITE CYCLE

(Psuedo READ-MODIFY-WRITE)

t _{R A S C}

t_{R P}

R AS

V ^IL

t_{C S H}

t_{C P}

t_{P C}

t_{C A S}

t_{R S H}

t_{C A S}

t_{R C D}

t _{C P}

t_{C P}

t_{C R P}

t_{C A S}

t_{C P}

V ^IH

V ^IL

CA S

t_{A R}

t_{A S C}

t_{R A L}

t_{A C H}

t_{C A H}

t _{R A D}

t_{R AH}

t_{A C H}

t_{C A H}

t_{A C H}

t_{C AH}

t_{A S R}

t_{A S C}

t _{A S C}

V ^{I H}

V ^{I L}

AD D R

C O L U M N ( A )

R O W

C O L U M N ( B )

C O L U M N ( N )

R O W

t_{RC H}

t_{R C S}

t _{W C H}

t_{W C S}

V ^{I H}

V ^{I L}

W E

t ^{A A}

t _{A A}

t^{W H Z}

t_{R A C}

t_{A C P}

t _{D S}

t_{D H}

t _{C A C}

t_{C A C}

t_{C O H}

V ^{I / O H}

V ^{I / O L}

V A L I D

D A T A ( B )

V A L I D

D A T A I N

VA LI D DA T A( A )

O PE N

I/ O

t _{O A C}

I H

V ^{I L}

RASONLY REFRESH CYCLE

(ADDR = A0~A10 ; OE , WE = DON’T CARE)

t_{R C}

t_{R P}

t_{R A S}

V^{I H}

V^{I L}

R AS

CA S

t_{C R P}

t^{R P C}

V ^{I H}

V ^{I L}

t _{AS R}

t_{R A H}

V ^{I H}

V ^{I L}

R O W

A D D R

I/O

V^{O H}

V^{O L}

OP EN

DON'T CARE

UNDEFINED

Elite Semiconductor Memory Technology Inc.

Publication Date : May. 2001

Revision : 1.1

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