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F49L004BA-90N 参数 Datasheet PDF下载

F49L004BA-90N图片预览
型号: F49L004BA-90N
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内容描述: 4兆位( 512K ×8 )只有3V CMOS闪存 [4 Mbit (512K x 8) 3V Only CMOS Flash Memory]
分类和应用: 闪存存储
文件页数/大小: 46 页 / 354 K
品牌: ESMT [ ELITE SEMICONDUCTOR MEMORY TECHNOLOGY INC. ]
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EFST  
preliminary  
F49L004UA / F49L004BA  
Figure 9. CE Controlled Program Timing Waveform  
5 5 5 f o r p r o g r a mP A f o r p r o g r a m  
2 A A f o r e r a s e S A f o r s e c t o r e r a s e  
5 5 5 f o r c h i p  
e r a sDe ata P ol li n g  
P D  
Addr es s  
tW C  
tW H  
t A S  
tA H  
W E  
OE  
tG H E L  
tC P  
tW H W H 1 o r  
2
C E  
tC P H  
tD H  
t W S  
tB U S Y  
tD S  
Dat a  
D O U T  
DQ7  
P D f o r p r o g r a m  
A0 f o r p r o g r a m  
5 5 f o r e r a s e  
3 0 f o r s e c t o r e r a s e  
1 0 f o r c h i p e r a s e  
tR H  
RE S E T  
RY/B Y  
Notes :  
1. PA = Program Address, PD = Program Data, DOUT = Data Out , DQ7 = complement of data written to device  
2. Figure indicates the last two bus cycles of the command sequence..  
Elite Flash Storage Technology Inc.  
Publication Date : Aug. 2003  
Revision: 0.2 26/46  
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