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    F49L004BA-90N 参数 Datasheet PDF下载

    F49L004BA-90N图片预览
    型号： F49L004BA-90N
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 4兆位（ 512K ×8 ）只有3V CMOS闪存 [4 Mbit (512K x 8) 3V Only CMOS Flash Memory]
    分类和应用： 闪存存储
    文件页数/大小： 46 页 / 354 K
    品牌： ESMT [ ELITE SEMICONDUCTOR MEMORY TECHNOLOGY INC. ]
     浏览型号F49L004BA-90N的Datasheet PDF文件第23页浏览型号F49L004BA-90N的Datasheet PDF文件第24页浏览型号F49L004BA-90N的Datasheet PDF文件第25页浏览型号F49L004BA-90N的Datasheet PDF文件第26页浏览型号F49L004BA-90N的Datasheet PDF文件第28页浏览型号F49L004BA-90N的Datasheet PDF文件第29页浏览型号F49L004BA-90N的Datasheet PDF文件第30页浏览型号F49L004BA-90N的Datasheet PDF文件第31页  
    EFST  
    preliminary  
    F49L004UA / F49L004BA  
    Figure 10. Embedded Chip Erase Timing Waveform  
    Read Statu s Dat a  
    Er as e Com mand S equ en ce( last t w o cycl e)  
    t A S  
    tW C  
    2AAAh  
    VA  
    VA  
    Addr es s  
    C E  
    555h  
    tA H  
    tC H  
    tG H W L  
    OE  
    tW H W H 1  
    t W P  
    W E  
    tW P H  
    tC S  
    tD S  
    tD H  
    I n  
    P r o g r e s s  
    C o m p l e t e  
    10h  
    55h  
    Dat a  
    tB U S Y  
    tR B  
    RY/B Y  
    tV C S  
    V C C  
    Notes :  
    SA = Sector Address (for Sector Erase, VA = Valid Address for reading status data  
    (see "Write Operation Status")  
    Elite Flash Storage Technology Inc.  
    Publication Date : Aug. 2003  
    Revision: 0.2 27/46  

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