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EN29LV400AB-70TI 参数 Datasheet PDF下载

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型号: EN29LV400AB-70TI
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内容描述: 4兆位( 512K ×8位/ 256K ×16位)闪存引导扇区快闪记忆体, CMOS 3.0伏只 [4 Megabit (512K X 8-bit / 256K X 16-bit) Flash Memory Boot Sector Flash Memory, CMOS 3.0 Volt-only]
分类和应用: 闪存内存集成电路光电二极管
文件页数/大小: 41 页 / 378 K
品牌: EON [ EON SILICON SOLUTION INC. ]
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EN29LV400A  
PRODUCT SELECTOR GUIDE  
Product Number  
EN29LV400A  
Regulated Voltage Range: Vcc=3.0-3.6 V  
Full Voltage Range: Vcc=2.7 – 3.6 V  
-45R  
-55R  
Speed Option  
-70  
-90  
Max Access Time, ns (tacc  
Max CE# Access, ns (tce)  
Max OE# Access, ns (toe)  
)
45  
45  
25  
55  
55  
30  
70  
90  
70  
30  
90  
35  
BLOCK DIAGRAM  
RY/BY#  
Vcc  
Vss  
DQ0-DQ15 (A-1)  
Block Protect Switches  
Erase Voltage Generator  
Input/Output Buffers  
State  
Control  
WE#  
Program Voltage  
Generator  
Command  
Register  
STB  
Chip Enable  
Output Enable  
Logic  
Data Latch  
CE#  
OE#  
Y-Decoder  
Y-Gating  
STB  
Vcc Detector  
A0-A17  
Timer  
X-Decoder  
Cell Matrix  
This Data Sheet may be revised by subsequent versions  
or modifications due to changes in technical specifications.  
©2005 Eon Silicon Solution, Inc., www.essi.com.tw  
6
Rev. A, Issue Date: 2005/01/07  
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