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EN29LV400AB-70TI 参数 Datasheet PDF下载

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型号: EN29LV400AB-70TI
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内容描述: 4兆位( 512K ×8位/ 256K ×16位)闪存引导扇区快闪记忆体, CMOS 3.0伏只 [4 Megabit (512K X 8-bit / 256K X 16-bit) Flash Memory Boot Sector Flash Memory, CMOS 3.0 Volt-only]
分类和应用: 闪存内存集成电路光电二极管
文件页数/大小: 41 页 / 378 K
品牌: EON [ EON SILICON SOLUTION INC. ]
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EN29LV400A  
TABLE 2A. TOP BOOT BLOCK SECTOR ARCHITECTURE  
SECTOR  
SIZE  
(Kbytes /  
ADDRESS RANGE  
A17 A16 A15  
A14 A13  
A12  
Sector  
(X16)  
(X8)  
Kwords)  
16/8  
10  
9
8
7
6
5
4
3
2
1
0
3E000h-3FFFFh  
3D000h-3DFFFh  
3C000h-3CFFFh  
38000h-3BFFFh  
30000h-37FFFh  
28000h-2FFFFh  
20000h-27FFFh  
18000h-1FFFFh  
10000h-17FFFh  
08000h-0FFFFh  
00000h-07FFFh  
7C000h-7FFFFh  
7A000h-7BFFFh  
78000h-79FFFh  
70000h – 77FFFh  
60000h - 6FFFFh  
50000h – 5FFFFh  
40000h – 4FFFFh  
30000h – 3FFFFh  
20000h - 2FFFFh  
10000h - 1FFFFh  
00000h - 0FFFFh  
1
1
1
1
1
1
1
0
0
0
0
1
1
1
1
1
0
0
1
1
0
0
1
1
1
1
0
1
0
1
0
1
0
1
1
1
0
X
1
8/4  
8/4  
1
0
0
32/16  
64/32  
64/32  
64/32  
64/32  
64/32  
64/32  
64/32  
0
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
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or modifications due to changes in technical specifications.  
©2005 Eon Silicon Solution, Inc., www.essi.com.tw  
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Rev. A, Issue Date: 2005/01/07  
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