欢迎访问ic37.com |
会员登录 免费注册
发布采购

EN29LV400AB-70TI 参数 Datasheet PDF下载

EN29LV400AB-70TI图片预览
型号: EN29LV400AB-70TI
PDF下载: 下载PDF文件 查看货源
内容描述: 4兆位( 512K ×8位/ 256K ×16位)闪存引导扇区快闪记忆体, CMOS 3.0伏只 [4 Megabit (512K X 8-bit / 256K X 16-bit) Flash Memory Boot Sector Flash Memory, CMOS 3.0 Volt-only]
分类和应用: 闪存内存集成电路光电二极管
文件页数/大小: 41 页 / 378 K
品牌: EON [ EON SILICON SOLUTION INC. ]
 浏览型号EN29LV400AB-70TI的Datasheet PDF文件第31页浏览型号EN29LV400AB-70TI的Datasheet PDF文件第32页浏览型号EN29LV400AB-70TI的Datasheet PDF文件第33页浏览型号EN29LV400AB-70TI的Datasheet PDF文件第34页浏览型号EN29LV400AB-70TI的Datasheet PDF文件第36页浏览型号EN29LV400AB-70TI的Datasheet PDF文件第37页浏览型号EN29LV400AB-70TI的Datasheet PDF文件第38页浏览型号EN29LV400AB-70TI的Datasheet PDF文件第39页  
EN29LV400A  
Figure 12. Sector Protect/Unprotect Timing Diagram  
VID  
Vcc  
RESET#  
0V  
0V  
tVIDR  
tVIDR  
SA,  
A6,A1,A0  
Valid  
Valid  
Valid  
Data  
60h  
60h  
40h  
Status  
Sector Protect/Unprotect  
Verify  
CE#  
>0.4µS  
WE#  
>1µS  
Sector Protect: 150 uS  
Sector Unprotect: 15 mS  
OE#  
Notes:  
Use standard microprocessor timings for this device for read and write cycles.  
For Sector Protect, use A6=0, A1=1, A0=0. For Sector Unprotect, use A6=1, A1=1, A0=0.  
Temporary Sector Unprotect  
Speed Option  
-45R -55R -70  
Unit  
Parameter  
Std  
Description  
-90  
tVIDR  
tRSP  
VID Rise and Fall Time  
Min  
Min  
500  
4
Ns  
µs  
RESET# Setup Time for Temporary  
Sector Unprotect  
Figure 13. Temporary Sector Unprotect Timing Diagram  
VID  
RESET#  
0 or 3 V  
0 or 3 V  
tVIDR  
tVIDR  
CE#  
WE#  
tRSP  
RY/BY#  
This Data Sheet may be revised by subsequent versions  
or modifications due to changes in technical specifications.  
©2005 Eon Silicon Solution, Inc., www.essi.com.tw  
35  
Rev. A, Issue Date: 2005/01/07  
 复制成功!