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EN29LV320AB-70BIP 参数 Datasheet PDF下载

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型号: EN29LV320AB-70BIP
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内容描述: 32兆位( 4096K ×8位/ 2048K ×16位)闪存引导扇区快闪记忆体, CMOS 3.0伏只 [32 Megabit (4096K x 8-bit / 2048K x 16-bit) Flash Memory Boot Sector Flash Memory, CMOS 3.0 Volt-only]
分类和应用: 闪存存储
文件页数/大小: 49 页 / 411 K
品牌: EON [ EON SILICON SOLUTION INC. ]
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EN29LV320A  
AC CHARACTERISTICS  
Table 14. Write (Erase/Program) Operations  
Alternate CE# Controlled Writes  
Parameter  
Symbols  
Speed Options  
Description  
JEDEC  
Standard  
-70  
-90  
Unit  
Min  
Min  
Min  
Min  
Min  
Min  
70  
90  
ns  
tAVAV  
tWC  
Write Cycle Time  
0
45  
30  
0
0
45  
45  
0
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
tAVEL  
tELAX  
tDVEH  
tEHDX  
tAS  
tAH  
Address Setup Time  
Address Hold Time  
Data Setup Time  
tDS  
tDH  
tOES  
tGHEL  
tWS  
Data Hold Time  
0
0
Output Enable Setup Time  
Read Recovery Time before  
Write (OE# High to CE# Low)  
Min  
Min  
Min  
Min  
Min  
Typ  
Typ  
0
0
0
0
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
tGHEL  
tWLEL  
tEHWH  
tELEH  
tEHEL  
WE# Setup Time  
WE# Hold Time  
0
0
tWH  
35  
20  
8
45  
20  
8
tCP  
CE# Pulse Width  
CE# Pulse Width High  
tCPH  
Byte  
Programming  
Operation  
µs  
µs  
s
tWHW1 tWHWH1  
tWHW1 tWHWH1  
tWHW2 tWHWH2  
8
8
Word  
Accelerated Programming  
Operation  
(Word AND Byte Mode)  
Typ  
Typ  
7
7
0.5  
0.5  
Sector Erase Operation  
This Data Sheet may be revised by subsequent versions  
or modifications due to changes in technical specifications.  
©2004 Eon Silicon Solution, Inc., www.essi.com.tw  
38  
Rev. B, Issue Date: 2007/07/17  
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