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    HM5225805BLTT-75 参数 Datasheet PDF下载

    HM5225805BLTT-75图片预览
    型号： HM5225805BLTT-75
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： LVTTL 256M SDRAM接口的133 MHz / 100 MHz的4 Mword 】 16位】 4银行/ 8 - Mword 】 8位】 4银行/ 16 Mword 】 4位】 4银行PC / 133 ， PC / 100 SDRAM [256M LVTTL interface SDRAM 133 MHz/100 MHz 4-Mword 】 16-bit 】 4-bank/8-Mword 】 8-bit 】 4-bank /16-Mword 】 4-bit 】 4-bank PC/133, PC/100 SDRAM]
    分类和应用： 存储内存集成电路光电二极管动态存储器PC时钟
    文件页数/大小： 63 页 / 454 K
    品牌： ELPIDA [ ELPIDA MEMORY ]
     浏览型号HM5225805BLTT-75的Datasheet PDF文件第55页浏览型号HM5225805BLTT-75的Datasheet PDF文件第56页浏览型号HM5225805BLTT-75的Datasheet PDF文件第57页浏览型号HM5225805BLTT-75的Datasheet PDF文件第58页浏览型号HM5225805BLTT-75的Datasheet PDF文件第59页浏览型号HM5225805BLTT-75的Datasheet PDF文件第60页浏览型号HM5225805BLTT-75的Datasheet PDF文件第62页浏览型号HM5225805BLTT-75的Datasheet PDF文件第63页  
    HM5225165B/HM5225805B/HM5225405B-75/A6/B6  
    Power Down Mode  
    CLK  
    CKE  
    CS  
    CKE Low  
    RAS  
    CAS  
    WE  
    BS  
    Address  
    A10=1  
    R: a  
    DQM,  
    DQMU/DQML  
    DQ (input)  
    High-Z  
    DQ (output)  
    t
    RP  
    Power down cycle  
    Power down entry  
    Power down  
    mode exit  
    Precharge command  
    If needed  
    RAS-CAS delay = 3  
    CAS latency = 3  
    Burst length = 4  
    Active Bank 0  
    = V or V  
    IH  
    IL  
    Initialization Sequence  
    53  
    52  
    0
    1
    2
    3
    4
    5
    6
    7
    8
    9
    10  
    48  
    49  
    50  
    51  
    54  
    55  
    CLK  
    V
    IH  
    CKE  
    CS  
    RAS  
    CAS  
    WE  
    code  
    valid  
    Address  
    Valid  
    DQM,  
    DQMU/DQML  
    V
    IH  
    High-Z  
    DQ  
    t
    RP  
    t
    t
    RC  
    t
    RC  
    RSA  
    Bank active  
    If needed  
    All banks  
    Precharge  
    Mode register  
    Set  
    Auto Refresh  
    Auto Refresh  
    Data Sheet E0082H10  
    61  

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