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EDS6416AHTA-75TI-E 参数 Datasheet PDF下载

EDS6416AHTA-75TI-E图片预览
型号: EDS6416AHTA-75TI-E
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内容描述: 64M位SDRAM WTR (宽温度范围) [64M bits SDRAM WTR (Wide Temperature Range)]
分类和应用: 动态存储器
文件页数/大小: 49 页 / 676 K
品牌: ELPIDA [ ELPIDA MEMORY ]
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EDS6416AHTA-TI  
DC Characteristics 2 (TA = –40 to +85°C, VDD, VDDQ = 3.3V ± 0.3V, VSS, VSSQ = 0V)  
Parameter  
Symbol  
ILI  
min.  
–1  
max.  
1
Unit  
µA  
µA  
V
Test condition  
Notes  
Input leakage current  
Output leakage current  
Output high voltage  
Output low voltage  
0 VIN VDD  
ILO  
–1.5  
2.4  
1.5  
0 VOUT VDD, DQ = disable  
IOH = –2 mA  
VOH  
VOL  
0.4  
V
IOL = 2 mA  
Pin Capacitance (TA = 25°C, VDD, VDDQ = 3.3V ± 0.3V)  
Parameter  
Symbol  
CI1  
Pins  
CLK  
min.  
2.5  
typ.  
max.  
3.5  
Unit  
pF  
Notes  
Input capacitance  
1, 2, 4  
Address, CKE, /CS,  
/RAS, /CAS, /WE,  
DQM  
CI2  
2.5  
3.8  
pF  
1, 2, 4  
Data input/output  
capacitance  
CI/O  
DQ  
4
6.5  
pF  
1, 2, 3, 4  
Notes: 1. Capacitance measured with Boonton Meter or effective capacitance measuring method.  
2. Measurement condition: f = 1MHz, 1.4V bias, 200mV swing.  
3. DQM = VIH to disable DOUT.  
4. This parameter is sampled and not 100% tested.  
Preliminary Data Sheet E0636E10 (Ver.1.0)  
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