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EDS5104ABTA-7A 参数 Datasheet PDF下载

EDS5104ABTA-7A图片预览
型号: EDS5104ABTA-7A
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内容描述: 512M位的SDRAM [512M bits SDRAM]
分类和应用: 动态存储器
文件页数/大小: 52 页 / 558 K
品牌: ELPIDA [ ELPIDA MEMORY ]
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EDS5104ABTA, EDS5108ABTA, EDS5116ABTA  
Write command to Precharge command interval (same bank)  
When the precharge command is executed for the same bank as the write command that preceded it, the minimum  
interval between the two commands is 1 clock. However, if the burst write operation is unfinished, the input data  
must be masked by means of DQM for assurance of the clock defined by tDPL.  
CLK  
PRE/PALL  
Command  
DQM  
WRIT  
DQ  
tDPL  
WRIT  
CLK  
Command  
DQM  
PRE/PALL  
DQ  
in A0  
in A1  
tDPL  
WRITE to PRECHARGE Command Interval (same bank) (BL = 4 (To stop write operation))  
CLK  
PRE/PALL  
Command  
DQM  
WRIT  
in A0  
DQ  
in A1  
in A2  
in A3  
tDPL  
WRITE to PRECHARGE Command Interval (same bank) (BL = 4 (To write all data))  
Preliminary Data Sheet E0250E10 (Ver. 1.0)  
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