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EDS2532CABJ-75L-E 参数 Datasheet PDF下载

EDS2532CABJ-75L-E图片预览
型号: EDS2532CABJ-75L-E
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内容描述: 256M位的SDRAM [256M bits SDRAM]
分类和应用: 存储内存集成电路动态存储器时钟
文件页数/大小: 48 页 / 637 K
品牌: ELPIDA [ ELPIDA MEMORY ]
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EDS2532CABJ  
DC Characteristics 2 (TA = 0 to +70°C, VDD, VDDQ = 2.5V ± 0.2V, VSS, VSSQ = 0V)  
Parameter  
Symbol  
ILI  
min.  
–1  
max.  
1
Unit  
µA  
µA  
V
Test condition  
Notes  
Input leakage current  
Output leakage current  
Output high voltage  
Output low voltage  
0 VIN VDD  
ILO  
–1.5  
2.0  
1.5  
0 VOUT VDD, DQ = disable  
IOH = –1 mA  
VOH  
VOL  
0.4  
V
IOL = 1 mA  
Pin Capacitance (TA = 25°C, VDD, VDDQ = 2.5V ± 0.2V)  
Notes  
1, 2, 4  
Parameter  
Symbol  
CI1  
Pins  
min.  
1.5  
typ.  
max.  
3.0  
Unit  
pF  
Input capacitance  
CLK  
Address, CKE, /CS,  
CI2  
/RAS, /CAS, /WE, 1.5  
DQM  
3.0  
5.5  
pF  
pF  
1, 2, 4  
Data input/output  
capacitance  
CI/O  
DQ  
3.0  
1, 2, 3, 4  
Notes: 1. Capacitance measured with Boonton Meter or effective capacitance measuring method.  
2. Measurement condition: f = 1MHz, 1.2V bias, 200mV swing.  
3. DQM = VIH to disable DOUT.  
4. This parameter is sampled and not 100% tested.  
Data Sheet E0460E40 (Ver. 4.0)  
6
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