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    EDS1216AABH-75-E 参数 Datasheet PDF下载

    EDS1216AABH-75-E图片预览
    型号： EDS1216AABH-75-E
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 128M位的SDRAM （8M字×16位） [128M bits SDRAM (8M words x 16 bits)]
    分类和应用： 存储内存集成电路动态存储器时钟
    文件页数/大小： 49 页 / 694 K
    品牌： ELPIDA [ ELPIDA MEMORY ]
     浏览型号EDS1216AABH-75-E的Datasheet PDF文件第4页浏览型号EDS1216AABH-75-E的Datasheet PDF文件第5页浏览型号EDS1216AABH-75-E的Datasheet PDF文件第6页浏览型号EDS1216AABH-75-E的Datasheet PDF文件第7页浏览型号EDS1216AABH-75-E的Datasheet PDF文件第9页浏览型号EDS1216AABH-75-E的Datasheet PDF文件第10页浏览型号EDS1216AABH-75-E的Datasheet PDF文件第11页浏览型号EDS1216AABH-75-E的Datasheet PDF文件第12页  
    EDS1216AABH, EDS1216CABH  
    Test Conditions  
    [EDS1216AA]  
    • AC high level voltage/low level input voltage: 2.4V/0.4V  
    • Input and output timing reference levels: 1.4V  
    • Input waveform and output load: See following figures  
    2.4 V  
    I/O  
    2.0 V  
    input  
    0.8 V  
    0.4 V  
    CL  
    t
    T
    tT  
    Input waveform and Output load [EDS1216AA]  
    [EDS1216CA]  
    • AC high level voltage/low level input voltage: 2.1V/0.3V  
    • Input and output timing reference levels: 1.2V  
    • Input waveform and output load: See following figures  
    2.1 V  
    I/O  
    1.7 V  
    input  
    0.7 V  
    0.3 V  
    CL  
    t
    T
    tT  
    Input waveform and Output load [EDS1216CA]  
    Data Sheet E0410E40 (Ver. 4.0)  
    8

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