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    EDS1216AABH-75-E 参数 Datasheet PDF下载

    EDS1216AABH-75-E图片预览
    型号： EDS1216AABH-75-E
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 128M位的SDRAM （8M字×16位） [128M bits SDRAM (8M words x 16 bits)]
    分类和应用： 存储内存集成电路动态存储器时钟
    文件页数/大小： 49 页 / 694 K
    品牌： ELPIDA [ ELPIDA MEMORY ]
     浏览型号EDS1216AABH-75-E的Datasheet PDF文件第24页浏览型号EDS1216AABH-75-E的Datasheet PDF文件第25页浏览型号EDS1216AABH-75-E的Datasheet PDF文件第26页浏览型号EDS1216AABH-75-E的Datasheet PDF文件第27页浏览型号EDS1216AABH-75-E的Datasheet PDF文件第29页浏览型号EDS1216AABH-75-E的Datasheet PDF文件第30页浏览型号EDS1216AABH-75-E的Datasheet PDF文件第31页浏览型号EDS1216AABH-75-E的Datasheet PDF文件第32页  
    EDS1216AABH, EDS1216CABH  
    Burst Stop Command  
    During a read cycle, when the burst stop command is issued, the burst read data are terminated and the data bus  
    goes to High-Z after the /CAS latency from the burst stop command.  
    CLK  
    READ  
    BST  
    Command  
    High-Z  
    High-Z  
    DQ  
    out  
    out  
    out  
    out  
    out  
    (CL = 2)  
    DQ  
    (CL = 3)  
    out  
    Burst Stop at Read  
    During a write cycle, when the burst stop command is issued, the burst write data are terminated and data bus goes  
    to High-Z at the same clock with the burst stop command.  
    CLK  
    WRITE  
    in  
    BST  
    Command  
    DQ  
    High-Z  
    in  
    in  
    in  
    Burst Stop at Write  
    Data Sheet E0410E40 (Ver. 4.0)  
    28  

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