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EDE1104ACSE-5C-E 参数 Datasheet PDF下载

EDE1104ACSE-5C-E图片预览
型号: EDE1104ACSE-5C-E
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内容描述: 1G位DDR2 SDRAM [1G bits DDR2 SDRAM]
分类和应用: 动态存储器双倍数据速率
文件页数/大小: 82 页 / 782 K
品牌: ELPIDA [ ELPIDA MEMORY ]
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EDE1104ACSE, EDE1108ACSE, EDE1116ACSE  
AC Overshoot/Undershoot Specification  
Parameter  
Pins  
Specification  
Unit  
V
Command, Address,  
CKE, ODT  
Maximum peak amplitude allowed for overshoot  
Maximum peak amplitude allowed for undershoot  
0.5  
0.5  
V
Maximum overshoot area above VDD  
DDR2-800  
0.66  
V-ns  
DDR2-667  
DDR2-533  
0.8  
1.0  
V-ns  
V-ns  
Maximum undershoot area below VSS  
DDR2-800  
0.66  
V-ns  
DDR2-667  
0.8  
1.0  
0.5  
0.5  
V-ns  
V-ns  
V
DDR2-533  
Maximum peak amplitude allowed for overshoot  
Maximum peak amplitude allowed for undershoot  
CK, /CK  
V
Maximum overshoot area above VDD  
DDR2-800, 667  
0.23  
0.28  
0.23  
V-ns  
V-ns  
V-ns  
DDR2-533  
Maximum undershoot area below VSS  
DDR2-800, 667  
DDR2-533  
0.28  
0.5  
V-ns  
V
Maximum peak amplitude allowed for overshoot  
DQ, DQS, /DQS,  
UDQS, /UDQS,  
LDQS, /LDQS,  
Maximum peak amplitude allowed for undershoot  
0.5  
V
Maximum overshoot area above VDDQ  
DDR2-800, 667  
RDQS, /RDQS,  
DM, UDM, LDM  
0.23  
0.28  
0.23  
0.28  
V-ns  
V-ns  
V-ns  
V-ns  
DDR2-533  
Maximum undershoot area below VSSQ  
DDR2-800, 667  
DDR2-533  
Maximum amplitude  
Overshoot area  
VDD, VDDQ  
Volts (V)  
VSS, VSSQ  
Undershoot area  
Time (ns)  
Overshoot/Undershoot Definition  
Data Sheet E0975E50 (Ver.5.0)  
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