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    EBE11UD8AGSA-6E-E 参数 Datasheet PDF下载

    EBE11UD8AGSA-6E-E图片预览
    型号： EBE11UD8AGSA-6E-E
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 1GB DDR2 SDRAM SO- DIMM （ 128M字× 64位， 2级） [1GB DDR2 SDRAM SO-DIMM (128M words x 64 bits, 2 Ranks)]
    分类和应用： 存储内存集成电路动态存储器双倍数据速率时钟
    文件页数/大小： 22 页 / 207 K
    品牌： ELPIDA [ ELPIDA MEMORY ]
     浏览型号EBE11UD8AGSA-6E-E的Datasheet PDF文件第14页浏览型号EBE11UD8AGSA-6E-E的Datasheet PDF文件第15页浏览型号EBE11UD8AGSA-6E-E的Datasheet PDF文件第16页浏览型号EBE11UD8AGSA-6E-E的Datasheet PDF文件第17页浏览型号EBE11UD8AGSA-6E-E的Datasheet PDF文件第18页浏览型号EBE11UD8AGSA-6E-E的Datasheet PDF文件第20页浏览型号EBE11UD8AGSA-6E-E的Datasheet PDF文件第21页浏览型号EBE11UD8AGSA-6E-E的Datasheet PDF文件第22页  
    EBE11UD8AGSA  
    DM (input pins)  
    DM is the reference signal of the data input mask function. DMs are sampled at the cross point of DQS and /DQS.  
    VDD (power supply pins)  
    1.8V is applied. (VDD is for the internal circuit.)  
    VDDSPD (power supply pin)  
    1.8V is applied (For serial EEPROM).  
    VSS (power supply pin)  
    Ground is connected.  
    Detailed Operation Part and Timing Waveforms  
    Refer to the EDE5104AGSE, EDE5108AGSE datasheet (E0715E).  
    Data Sheet E0827E10 (Ver. 1.0)  
    19  

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