MMBT3906
特性（T
j
= 25°C)
分钟。
集电极 - 发射极饱和电压 - Kollektor - Sättigungsspannung
)
- I
C
= 10毫安， - 我
B
= 1毫安
- I
C
= 50毫安， - 我
B
= 5毫安
基射极饱和电压 - 基础 - Sättigungsspannung
2
)
- I
C
= 10毫安， - 我
B
= 1毫安
- I
C
= 50毫安， - 我
B
= 5毫安
集电极 - 发射极截止电流 - Kollektor发射极 - Reststrom
- V
CE
= 30 V, - V
EB
= 3 V
发射基截止电流 - 发射极 - 基 - Reststrom
- V
CE
= 30 V, - V
EB
= 3 V
增益带宽积 - Transitfrequenz
- I
C
= 10毫安， - V
CE
= 20 V ， F = 100 MHz的
集电极 - 基极电容 - Kollektor个基本Kapazität
- V
CB
= 5 V，I
E
= i
e
= 0中，f = 1 MHz的
发射极 - 基极电容 - 发射极 - 基 - Kapazität
- V
EB
= 0.5 V，I
C
= i
c
= 0中，f = 1 MHz的
噪声系数 - Rauschzahl
- V
CE
= 5 V ， - 我
C
= 100 ¼A ，R
G
= 1千欧中，f = 1千赫
开关时间 - Schaltzeiten （10％和90％之间）
延迟时间
上升时间
贮存时间
下降时间
- V
CC
= 3 V, - V
BE
= 0.5 V
- I
C
= 10毫安， - 我
B1
= 1毫安
- V
CC
= 3 V ， - 我
C
= 10毫安，
- I
B1
= I
B2
= 1毫安
t
d
t
r
t
s
t
f
R
THA
–
–
–
–
–
–
–
–
< 200 K / W
)
MMBT3904
MMBT3906 = 2A或3E
35纳秒
35纳秒
225纳秒
75纳秒
F
–
–
4分贝
C
EBO
–
–
10 pF的
C
CBO
–
–
4.5 pF的
f
T
250兆赫
–
–
I
EBV
–
–-
50 nA的
- I
CEX
–
–
50 nA的
- V
BESAT
- V
BESAT
0.65 V
–
–
–
0.85 V
0.95 V
- V
CESAT
- V
CESAT
–
–
–
–
0.25 V
0.4 V
Kennwerte （T
j
= 25°C)
典型值。
马克斯。
热阻结到环境空气
Wärmewiderstand Sperrschicht - umgebende拉夫特
推荐互补NPN晶体管
Empfohlene komplementäre NPN - Transistoren
标记 - Stempelung
2
1
测试了脉冲吨
p
= 300微秒，占空比≤ 2 ％ - Gemessen MIT Impulsen吨
p
= 300微秒， Schaltverhältnis ≤ 2％
安装在P.C。主板为3 mm
2
铜垫在每个终端
蒙太奇奥夫Leiterplatte麻省理工学院3毫米
2
Kupferbelag （ Lötpad ）的jedem并吞
http://www.diotec.com/
©德欧泰克半导体公司
2
DIOTEC [ DIOTEC SEMICONDUCTOR ]
