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MMBT3906 参数 Datasheet PDF下载

MMBT3906图片预览
型号: MMBT3906
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内容描述: 表面贴装硅外延平面开关晶体管 [Surface Mount Si-Epi-Planar Switching Transistors]
分类和应用: 晶体开关晶体管光电二极管
文件页数/大小: 2 页 / 102 K
品牌: DIOTEC [ DIOTEC SEMICONDUCTOR ]
 浏览型号MMBT3906的Datasheet PDF文件第2页  
MMBT3906
MMBT3906
PNP
表面贴装硅外延平面开关晶体管
硅外延平面Schalttransistoren献给死去Oberflächenmontage
功耗 - Verlustleistung
2.9
±0.1
0.4
3
1.3
±0.1
1.1
PNP
250毫瓦
SOT-23
(TO-236)
0.01 g
版本2009-04-02
塑料外壳
Kunststoffgehäuse
重量约。 - Gewicht约
塑料材料具有UL分类94V- 0
Gehäusematerial UL94V- 0 klassifiziert
标准包装卷带封装
标准Lieferform gegurtet奥夫罗尔
TYPE
CODE
1
1.9
2
尺寸 - 集体[MM ]
1=B
2=E
3=C
最大额定值(T
A
= 25°C)
集电极 - 发射极电压。 - Kollektor发射极 - Spannung
集电极 - 基极电压 - Kollektor个基本Spannung
发射极基极电压 - 发射极 - 基 - Spannung
功耗 - Verlustleistung
集电极电流 - Kollektorstrom ( DC )
结温 - Sperrschichttemperatur
储存温度 - Lagerungstemperatur
B开
ê开放
c打开
- V
首席执行官
- V
CBO
- V
EBO
P
合计
- I
C
T
j
T
S
2.5最大
Grenzwerte (T
A
= 25°C)
MMBT3906
40 V
40 V
5V
250毫瓦
)
200毫安
-55...+150°C
-55…+150°C
特性(T
j
= 25°C)
分钟。
直流电流增益 - Kollektor个基本Stromverhältnis
)
-
-
-
-
-
I
C
I
C
I
C
I
C
I
C
=
=
=
=
=
0.1毫安, -
1毫安, -
10毫安, -
50毫安, -
百毫安, -
V
CE
V
CE
V
CE
V
CE
V
CE
=
=
=
=
=
1
1
1
1
1
V
V
V
V
V
h
FE
h
FE
h
FE
h
FE
h
FE
h
fe
h
ie
h
oe
h
re
40
80
100
60
30
100
2 kΩ
3 µS
Kennwerte (T
j
= 25°C)
典型值。
马克斯。
300
400
12 kΩ
60 µS
10*10
-4
H-参数为/贝 - V
CE
= 10 V , - 我
C
= 1毫安中,f = 1千赫
小信号电流增益 - Kleinsignal - Stromverstärkung
输入阻抗 - Eingangs - Impedanz
输出导纳 - Ausgangs - Leitwert
反向电压传输比 - Spannungsrückwirkung
0.1*10
-4
1
2
安装在P.C。主板为3 mm
2
铜垫在每个终端
蒙太奇奥夫Leiterplatte麻省理工学院3毫米
2
Kupferbelag ( Lötpad )的jedem并吞
测试了脉冲吨
p
= 300微秒,占空比≤ 2 % - Gemessen MIT Impulsen吨
p
= 300微秒, Schaltverhältnis ≤ 2%
http://www.diotec.com/
©德欧泰克半导体公司
1