BAS19 ... BAS21
Characteristics (T
j
= 25°C)
Max. junction capacitance – Max. Sperrschichtkapazität
V
R
= 0 V, f = 1 MHz
Reverse recovery time – Sperrverzug
I
F
= 10 mA über/through I
R
= 10 mA bis/to I
R
= 1 mA
Thermal resistance junction to ambient air
Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft
C
T
t
rr
R
thA
Kennwerte (T
j
= 25°C)
< 5 pF
< 50 ns
< 420 K/W
)
Pinning – Anschlussbelegung
3
Marking – Stempelung
HB
or
HC
Single Diode
Einzeldiode
2
1
1=A
2 = n.c./frei
3=C
120
[%]
100
10
[A]
1
80
T
j
= 125°C
60
10
-1
40
10
-2
20
P
tot
0
0
T
A
50
100
150
[°C]
1
T
j
= 25°C
I
F
10
-3
0
V
F
0.4
0.6
0.8
1.0
[V] 1.4
Power dissipation versus ambient temperature )
1
Verlustleistung in Abh. von der Umgebungstemp. )
Forward characteristics (typical values)
Durchlasskennlinien (typische Werte)
1
Mounted on P.C. board with 3 mm
2
copper pad at each terminal
Montage auf Leiterplatte mit 3 mm
2
Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss
http://www.diotec.com/
© Diotec Semiconductor AG
2
DIOTEC [ DIOTEC SEMICONDUCTOR ]
